![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Главная Интегральные микросхемы 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 [ 15 ] 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 Texas Instruments Inc. Примеры маркировки SN 74 S188 J Назначение - / Температурный диапазон - / Корпус -!- TMS 4256 /-15 N L Назначение Быстродействие Температурный диапазон Назначение: АС - биполярные ИС улучшенные SBP - биполярные микропроцессоры SMJ - МОП-ИС памяти и микропроцессоры SN - стандартные ИС ТАС - КМОП-логические матрицы TAL - ТТЛШ-логические матрицы с пониженной потребляемой мощностью ТАТ - ТТЛШ-логические матрицы ТВР - биполярные ИС памяти ТС - формирователи видеосигналов для ПЗС тем - ИС для телекоммуникации TIBPAL - биполярные ПЛМ TIED - детекторы инфракрасного излучения TIL - оптоэлектронные ИС TL - аналоговые ИС TLC - аналоговые КМОП-ИС TMS - МОП-ИС памяти и микропроцессоры ТМ - модули микроэвм VM - ИС памяти речевого синтезатора Корпус: FG, FE - многослойный прямоугольный кристаллодержатель FH - однослойный керамический квадратный кристаллодержатель FK - многослойный квадратный кристаллодержатель FM - прямоугольный кристаллодержатель для динамических ОЗУ FN - однослойный пластмассовый квадратный кристаллодержатель J, JD, JG, JT - керамический DIL КА, КС, КО, KF - пластмассовый с теплорастекателем LP - 3-выводной пластмассовый NT, NF, N, NE - пластмассовый DIL Т - металлический плоский W, WA, WC - керамический плоский 8Й, 14D, 16D - малогабаритный Те \1вратурный диапазон: При обозначении в префиксе: 54, 55 - -55...+125 С 74, 75\ 76 - 0. . .+70С При обозначении в суффиксе: отсутствие знака - 0...+70*С С - 0. .\.+70С Е--40. .\+85*С I - -25. . .у85*С L - 0. . .VoC м - \ -55...+125*С S - специаль>ый диапазон Быстродействие (время выборки): 15 - 150 НС 17 - 170 НС 2, 20 - 200 НС 25 - 250 НС 3, 35 - 350 НС 4, 45 - 450 НС При маркировке различных вариантов цифровых ТТЛ-серий и совместимых с ними серий первые знаки в обозначении соответствуют сериям; 54, 74 - стандартная ТТЛ 54Н, 74Н (High) - быстродействующая 74F (FAST) - сверхбыстродействующая 54L (Low-power) - с пониженной потребляемой мощностью 54LS, 74LS (Low-power Schottky) - ТТЛШ с пониженной потребляемой мощностью 54S, 74S (Schottky) - ТТЛШ 55, 75 - стандартные интерфейсы 54AS, 74AS (Advanced Schottky) - улучшенная ТТЛШ 54НС, 54НСТ, 74НС, 74НСТ (High-speed CMOS) - быстродействующие на основе КМОП-структур 54ALS, 74ALS (Advanced Low-power Schottky) - улучшенная ТТЛШ с пониженной потребляемой мощностью 76 - улучшенные ИС Thomson - CSF/EFCIS Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro Еlectron. Tokyo Sanyo Electric Corp. Пример маркировки Назначение и технология Назначение и технология: LA - аналоговые биполярные ИС LB - цифровые биполярные ИС LC - КМОП LM - р-МОП и п-МОП Toshiba Corp. Пример маркировки Назначение и технология Корпус Назначение и технология: ТА - аналоговые биполярные ИС ТС - КМОП ТО - цифровые биполярные ИС ТММ - п-МОП Корпус: Первая буква обозначает материал корпуса: А - усовершенствованный тип С - керамический М - металлический Р - пластмассовый Вторая буква обозначает тип корпуса: О - OIL F - плоский J - малогабаритный Т - безвыводной кристаллодержатель Z - с зигзагообразным расположением выводов Префикс Обозначение Суффикс ТА 7173 АР -Г ~Г I LA 1230 -Г |
© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения |