6 - 64К и т.д.

Организация (в битах):

0 - х1

1 - х2

2 - х4 и т.д.

Разновидность:

0 - стандартные ИС

1 - дополнительные функции

Корпус:

Р - пластмассовый DIL

S - керамический DIL

W - керамический кристаллодержатель

Быстродействие (время выборки):

45 - 45 НС

55 - 55 НС

12 - 120 НС

14 - 140 НС

Отбраковка:

отсутствие знака - коммерческое применение

Е - расширенный температурный диапазон

L - пониженная потребляемая мощность

И - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883C

Intel Corp.

Префикс Обозначение Суффикс

Пример маркировки М D 2114А L-3

Исполнение

Модификация

Т Т -I I

Исполнение:

I - промышленное

М - в соответствии с военным стандартом Корпус:

В, С, О - герметичный

G - герметичный с матричным расположением выводов

J - кристаллодержатель М - металлический Р - пластмассовый

R - безвыводной герметичный кристаллодержатель X - бескорпусной

Модификация:

До трех знаков, указывающих на различные варианты исполнения, в том числе потребляемую мощность, быстродействие и т.д.

Intersil Inc.

Префикс Обозначение Суффикс Пример маркировки ICL 8038 С С Р D /HR

-Г- т

Назначение

Электрические параметры Температурный диапазон Корпус

Число выводов корпуса Отбраковка

Назначение:

AD - ИС разработки фирмы Analog Devices Inc. D - преобразователи уровня

DG - гибридные аналоговые переключатели разработки фирмы Siliconix Inc.

ООН - монолитные ИС, разработанные для замены гибридных аналоговых переключателей типа DG ICH - гибридные ИС ICL - аналоговые ИС ICM - периферийные ИС IM - контроллеры

LH - гибридные ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp. LM - ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp. MM - высоковольтные аналоговые переключатели NE, SE - ИС разработки фирмы Signetics Corp.

Электрические параметры: дополнительно до двух знаков

Температурный диапазон: для ИС типа О и DG А - -55...+125*С

В--20. . .+85С

С - С .+70 С

для остальных типов ИС

с - 0...+70С I - -20...+85С М --55...+125С

корпус :

А - транзисторный типа Т0237

В - пластмассовый ппоский

С - транзисторный типа Т0220

D - керамический DIL

Е - малогабаритный типа Т08

F - керамический плоский

Н - транзисторный типа Т066

I - 16-8Ы80ДН0Й герметичный гибридный OIL

J - керамический DIL

К - транзисторный типа ТОЗ

L - керамический беэвыводной

Р - пластмассовый DIL

S - транзисторный типа Т052

Т - транзисторный типа Т05

и - транзисторный типа Т072

V - транзисторный типа Т039

Z - транзисторный типа Т092

/О - разрезанные кристаллы

/W - кристаллы на пластине

Число выводов корпуса:

А-8, В-10, С-12, D-14, Е-16, F-22, G-24, Н-42, 1-28, J-32, К-35, L-40, М-48, N-18, Р-20, Q-2, R-3, S-4, Т-6, U-7, V-8, W-10, Y-8, Z-10

Отбраковка:

/883В - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883B /В1 - термотренировка в процессе производства /BR - недорогие высоконадежные ИС /НВ - высоконадежные ИС

ITT Semiconductors Intermetall

Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro Electron (см. стр. 37).