![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Главная Источники вторичного электропитания 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 [ 24 ] 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 Ctope Ri делителя R3, i?4, включенного параллельно прецизионному стабилитрону Дх. Питание 140УД1А осуществляется напряжением С/д; на стабилитроне Дь которое должно быть больше чем U- Сигнал рассогласования с выходного делителя Ri, R2 подается на инвертирующий вход 9 140УД1А. Использовать в схеме стабилизатора очень большой коэффициент усиления операционного усилителя, равный нескольким тысячам, не представляется возможным, так как при этом в замкнутом контуре регулирования неизбежно возникнет генерация. Коэффициент усиления операционного усилителя можно нормировать, если ввести жесткую обратную связь (резистор Rs) с выхода усилителя 5 на инвертирующий вход 9. Коэффициент усиления усилителя в схеме стабилизатора в этом случае будет равен отношению сопротивлений резистора Rs и Ri\\R2- При выходных напряжениях L/h>10 В применяют схему с источником опорного напряжения Дь включенным между шинами выходного напряжения -{- и - (рис. 5-5). Коллектор усилительного транзистора Ту можно подключить ко входу стабилизатора через Ry, или токостабилизирующей двухполюсник ТД2, или через резистор Ry к дополнительному источнику стабильного напряжения Дг. При напряжениях Ub>10 В не столь существенно некоторое увеличение минимального кол- Л r---f--CI3-i V I Дг 9- ГДг -O-t- Рис. 5-5. Схема транзисторного стабилизатора с внутренним источником опорного напряжения. лекторного напряжения регулирующего транзистора Гр, поэтому здесь целесообразно коллектор транзистора Гу подключать ко входу стабилизатора через токостабилизирующий двухполюсник ГДг- Повысить коэффициент стабилизации ka и уменьшить внутреннее сопротивление Гн стабилизатора можно за счет питания диода Дз (одного или нескольких, включенных последовательно) токостабилизирующего двухполюсника ГДг не через резистор Рз, а через токостабилизирующий двухполюсник ГДь Стабилитрон Д\ в этом случае используется как источник опорного напряжения и одновременно как задающий стабильное напряжение на резисторе 4- Замена нескольких последовательно включенных диодов Дз стабилитроном, имеющим примерно такое же динамическое сопротивление, но большее напряжение, также повысит ka и уменьшит Гн, но при этом возрастет Upmin и, следовательно, понизится к. п. д. стабилизатора. Повысить fecT и уменьшить Гн можно также за счет увеличения д: если вместо одного стабилитрона включить последовательно п стабилитронов с k = -jj. Количество ста- билитронов Дь включенных последовательно в источнике опорного напряжения, определяется минимально допустимым коллекторным напряжением усилительного транзистора Гу. При последовательном соединении стабилитронов Д] динамическое сопротивление источника опорного напряжения равно / стд! Температурный коэффициент выходного напряжения при последовательном соединении диодов Д1 равен: Г.==- (5-5) Д При весьма жестких требованиях к стабильности выходного напряжения от воздействия всех дестабилизирующих факторов, как и в случае стабилизаторов с (/н<10 В, первый каскад должен содержать дифференциальный усилитель в микросхемном исполнении, а источником опорного напряжения должен быть прецизионный стабилитрон, При больших изменешях напряжения U на РЭ и тока нагрузки /н рекомендуется схема с буферным каскадом, изображенная на рис. 5-6. Транзисторы Ti и Т2 образуют регулирующий элемент стабилизатора. Транзистор Ти шунтированный резистором Re, является буферным каскадом. Данная схема не дает выигрыша в к. п. д. стабилизатора по сравнению со схемой на рис. 5-5. Преимущество ее состоит в том, что максимальная мощность, рассеиваемая на каждом из составных транзисторов Ti и Гг, в 4 раза меньше суммарной ![]() Рис. 5-6. Схема транзисторного стабилизатора напряжения с буферным каскадом в РЭ. мощности, рассеиваемой на РЭ (Гь Гг, Re)- Это позволяет применить Ti и Т2 меньшей мощности или значительно уменьшить габариты радиатора охлаждения регулирующего транзистора, а следовательно, и самого стабилизатора. Применяемость схемы определяется из условия и р max >4t/ кэ 2mlп' чем больше это неравенство, тем ощутимее преимущество схемы на рис. 5-6 по сравнению со схемой на рис. 5-5 при условии, что ток нагрузки может меняться в широких пределах (от Inmax до значения /цты, близкого к нулю), при постоянном значении тока нагрузки или |
© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения |