Главная страница Комод Кухня Компьютерный стол Плетеная мебель Японский стиль Литература
Главная  Источники вторичного электропитания 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95

незначительных пределах его изменения следует применять схему на рис. 5-5, шунтируя переход эмиттер - коллектор РЭ резистором.

Принцип действия стабилизатора на рис. 5-6 состоит в следующем: при напряжении f/ ==f/om,n и токе нагрузки lyax напряжения на регулирующих транзисторах Г Tj минимальны, причем па Т, напряжение кэг т;л = Д2 - - 1эБ1 д2 напряжение на стабилитроне Д^; f/gsi-

напряжение база - эмиттер транзистора Ту. С увеличением, например, напряжения Lo при lamax возрастает выходное напряжение Uh. Это изменение Ub через делитель Яяи Рд2, Rn передается на вход дифференциального усилителя К1УТ221 (вывод 10), с его выхода - на вход второго каскада усиления Гу, а с его выхода -на вход регулирующего транзистора Гг. Последний изменяет свое сопротивление постоянному току, и падение напряжения на нем возрастает. Так как база транзистора Г) имеет фиксированный потенциал U относительно

эмиттера Гг, то с увеличением потенциала коллектора Гг (эмиттера Ti) относительно эмиттера Гг транзистор Г] начнет запираться. Падение напряжения на нем возрастет на ALo, ток через транзистор Ti уменьшится, а через резистор Re возрастет при общем суммарном токе, равном 1нтах. При Uomax ТОК чсрез транзистор Ti станет близким к нулю. До момента закрытия транзистора Г] напряжение на Гг будет оставаться неизменным и равным 1д2-/эбь^симальная мощность рассеиваемая на транзисторе Ti будет:

Рк1тах'1п maxRe 14

при

Если С момента, когда Ti закроется, мы начнем уменьшать ток нагрузки, то транзистор Ту будет оставаться в закрытом состоянии, база его по отношению к эмиттеру будет теперь иметь отрицательный потенциал, который будет расти с уменьшением тока нагрузки. Падение напряжения на резисторе Re будет уменьшаться, а на транзисторе Гг увеличиваться на величину А/нРб, где А/н - изменение тока нагрузки. При токе нагрузки, близком к нулю, напряжение на транзисторе Гг ПРИ Uomax будет равно; Uprmx-Uomax-Usmin- Макси-



мальная мощность, рассеиваемая на транзисторе Гг, будет равна:

К2 max 4О

При

и

р max

Если выполнить условие равенства максимальных

мощностей Рк1тах=Рк2тах, ТО Re-Up max11и max. Стзби-

литрон Mi служит для ограничения напряжения на базе Ту в закрытом состоянии. Диод д5 не дает возможности

к усилителю

Рис. 5-7. Последовательное включение транзисторов.

шунтировать цепь база - эмиттер стабилитроном д4, когда открыт Ti. Резистор Ri ограничивает ток через стабилитрон д4 при закрытом Ти а диод Дз шунтирует Ri при открытом Ти

Если максимальное напряжение на регулирующем транзисторе превышает допустимое значение, то их включают последовательно, как показано на рис. 5-7.

Параллельно транзисторам Ti и Гг включают равные по омическому сопротивлению резисторы R. Ток через них должен протекать в 5-10 раз больший, чем ъртах ПР отах- МОЩНОСТЬ, рассеиваемзя на регулирующем элементе, распределяется между транзисторами Ti и Гг поровну.

5-2. РАСЧЕТ РЕГУЛИРУЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА СТАБИЛИЗАТОРА

По заданному значению выходного напряжения выбираем соответствующую схему электрическую принципиальную: рис. 5-1, 5-3, 5-4, если С/н<10 В; рис. 5-3, рис. 5-5, если /н>10 В; рис. 5-6 - при больших изменениях напряжения на РЭ и тока нагрузки. 78



Ток через регулирующий элемент /кр, примерно равный току нагрузки /н, в транзисторных стабилизаторах напряжения обычно составляет сотни миллиампер - единицы ампер. При таких значениях коллекторного тока /кр приходится применять транзисторы Гр большой или средней мощности, минимальный коэффициент усиления по постоянному току которых в схеме с общим эмиттером при окр=20±5°С

h = -


Рис. 5-8. Характеристики транзисторов. а - выходная; б - входная.

не превышает 20, где / - ток в цепи базы транзистора.

Транзисторы большой н средней мощности имеют малое входное сопротивление /i 3=AL3g/A/g, которое резко

уменьшается с увеличением тока 1. Так, например, для транзисторов типов П210, 2Т803, 2Т808 при токе 1 А А„з = 2-г-5 Ом, а при токе 5 А - меньше одного ома. Для транзисторов средней мощности йцд при токе коллектора 0,1 А равно 60- 100 Ом, а при токе 1 А 20 - 30 Ом.

Входное сопротивление /г д транзистора определяется по двум характеристикам: выходной 7.= / (L-g) и входной б = /(эб) соответственно рис. 5-8 а, б. При коллектор-



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 [ 25 ] 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95

© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения