и резистор Ri ставить не надо. Иногда вместо резисторов Ru Rz включают резисторы Rl, Rz (рис. 5-9,6). Преимущество включения Rl, R2 очевидно в тех случаях, когда для Ru R2 требуется дополнительный источник напряжения. На рис. 5-10 приведена типовая характеристика зависимости предельно допустимой мощности рассеивания на транзисторе от температуры окружающей среды.

/го т°с

пер max

Рис. 5-10. График зависимости допустимой мощности, рассеиваемой на транзисторе, от окружающей температуры.

Рис. 5-11. Параллельное включение транзисторов.

Для выбранного типа транзистора Тц необходимо подобрать радиатор таким образом, чтобы при температуре, равной сумме toKpmaxtl и 0,2пер тал:=2-1

(рис. 5-10), температура р-п перехода транзистора была равна перипгах при рассеиваемой мощности Ркптах-

График на рис. 5-10 соответствует предельно допустимой температуре перехода транзистора nepiimax=150°C= =const. Температура р-п перехода транзистора в общем случае определяется через тепловое сопротивление /?пер-о1кр=/?пер-кор-Ь-кор-теп + /?теп-окр, ГДе /?пер-окр, Rnep-Kop, /?кор-теп, /?теп-окр - ТеПЛОВЫе СОПрОТИВЛСНИЯ СО-

ответственно переход -среда, переход - корпус, корпус - теплоотвод (радиатор), теплоотвод - среда, выраженные в °С/Вт. Каждая из этих величин показывает, на сколько градусов температура предыдущей ступени по мере отдаления от р-п перехода транзистора к окружающей среде больше последующей при 1 Вт рассеиваемой транзистором мощности.

Для определения охлаждающих поверхностей и тепловых сопротивлений радиаторов транзисторов в зависимости от рассеиваемой на них мощности можно воспользоваться данными, приведенными в приложении ПЗ. §6

Если транзистор используется без радиатора, то допустимая мощность, которую он может рассеивать при заданных окр и /пер, определяется через 7?пер-окр по формуле

пер-окр

Значение шр-окр и Рктах при /окр=20-5-25°С для транзистора без радиатора приводится в справочниках. При более высоких температурах Рктах должна быть уменьшена. Следует обратить внимание на то, что в справочниках указывается, начиная с какой температуры окружающей среды /окр можно пользоваться формулой (5-14). Если на это не обратить внимание и подставить в формулу (5-14) значение пер-окр, когда окр меньше, чем та, с какой начинается снижение мощности

Рк, то окажется, что РкКтах-

Если мощность, рассеиваемая на регулирующем транзисторе Тц (рис. 5-9), превышает допустимое значение с выбранным типом радиатора или ток нагрузки превышает допустимое значение для выбранного типа транзистора, применяют параллельное включение одноименных транзисторов, как показано на рис. 5-11. Для выравнивания токов, протекающих через параллельно включенные Тц и Г'и, в эмиттеры их включены одинаковые сопротивления - резисторы Ri=P2-R. Чем больше R, тем меньше будет разница в значениях токов, протекающих через транзисторы Т'ц и Т ц.

Увеличение R ведет к понижению к. п. д. стабилизатора. В практике задаются падением напряжения на резисторах Ri~R2 порядка 0,5-1 В при максимальном значении тока через транзистор, равном Inmaxin, где га - количество параллельно включенных транзисторов.

При параллельном включении транзисторов Тц но схеме на рис. 5-11 входное сопротивление составного РЭ в схеме на рис. 5-9 определяется по формуле

+ ?Л2,э„)1/ , (5-15)

а ток через резистор Ri (рис. 5-9)

Для выбора транзистора Т12 (рис. 5-9) необходимо определить максимальный ток транзистора Та-

К12 БИтах' Rl max- (5-17)

Ток /витад: определясм по формуле (5-12):

Ток /д1 определяем по формуле (5-13). Мощность, рассеиваемая на Та,

где кэ,2 = кэи-эы1===кэп=--=кэр К (5-11)].

По полученным данным выбираем транзистор Та и в справочнике находим значение /г21Э12тги.

Находим максимальное значение базового тока транзистора Та-

Bl2maxKl2lKl9l2min- (5-20)

Если Iji2ax >05 мА, ТО количество транзисторов

увеличивают, добавив транзистор Ти (рис. 5-9). Расчет режима транзистора Г13 производят аналогично тому, как это было выполнено для транзисторов Тц и Та- Ток базы транзистора Т13 определяется следующим выражением:

Штах - (4 max ~\~Jri тах^21Эи min ~Ь R2.maxK\Bn min X X 21312 mir)l (21311 min2\3\2 т1п^2ШЗ min

). (5-21)

Статические параметры, характеризующие РЭ, следующие:

коэффициент усиления при /Kpconst

Р^Д^ЭБр %Эр

крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером при Ljgp= const

21ЭР-Д(/эБр