внутреннее сопротивление при 1 = const

где At/[3p А^эБр' Aip - изменения напряжения коллектора, базы и тока РЭ соответственно; Н^э - коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора; /г22р - выходная полная проводимость биполярного транзистора.

Межа,у этям'-i параметрами существует следующая связь: [J-pY2i9Qip- Если известны или определены по характеристикам два из этих параметров, то, следовательно, будет найдено значение и третьего параметра. Не представляет труда по характеристикам на рис. 5-8, а, б, имеющимся в справочниках, определить Fjjg

и (а каждого из транзисторов образующих составной РЭ-Так, например, для определения Y транзистора по характеристике на рис. 5-8,а при Lj(.32 = const и изменении тока от до /j находим соответствующие значения /g, и (точки Г и Д). На характеристике, изображенной на рис. 5-8.6, токам базы /g, и 1. при 0= = const соответствуют точки В и Л. На оси абсцисс находим значения gg, и t/ggg. Искомое значение

2I3-(/gg2 (/gg,

при [/д2 -const. Необходимо иметь в виду, что зависимость I~J{u при Lgj = const на рис. 5-8, б имеет

весьма большую зону разброса (заштрихованная область), которая к тому же сильно зависит от окружающей температуры. В связи с этим разброс по значению Fgis определенный по характеристикам, может быть очень большим. Так как [а транзисторов составляют несколько сотен, то характеристики на рис. 5-8, б при U и U должны быть расположены достаточно близко друг к другу, а, учитывая большую область разброса, можно принять, что приведенная в справочниках усредпепиая характеристика /g = f(f3e) Р' кэ> первом прибли-

жении совпадает для Uj и (/.33. Учитывая сказанное, мы можем по характеристикам на рис. 5-8, а, б найти значение (*. Для этого возьмем, например, значение тока 1 - сот\ (рис. 5-8, а) и найдем точки пересечения Д Е с характеристиками, соответствующими /g, и 1. Точке Д соответствует f/jj-gg, а точке Е U-y Так как характеристики (/32=const и (/533= Р^- -8, б практически совпадают, то, отложив на оси ординат 7g, и /g2 найдем на пересечении их с кривой f/jgg -const значения f/gg, = (/gg3 (точка В) и I7gg2 (точка Л). Если бы на рис. 5-8, б бьша характеристика [/jg3 = const, то

для значения 1 мы бы взяли точку Б, соответствующую f/gg3.

Искомый статический коэффициент усиления = 1/223 при /j2 = onst, определится следующим образом:

кэз - КЭ2 ЭБ2~ЭБ1

Полученное значение [а будет несколько меньше, чем действительное, так как в знаменателе этого выражения должно быть эвг^эвз' де /эбз^эбг при расчетах стабилизаторов нам приходится пользоваться параметрами транзисторов h и /j,jg, то нет необходимости вводить еще один зависимый параметр 721э- о можно выразить через известные величины:

Внутреннее сопротивление транзистора определится как

i?, = / 3- (5-23)

Для составного регулирующего транзистора (рис. 5-9,а) параметры (Хр, У21ЭР могут быть записаны в следующем виде:

-- (5.24)

fДё [111, !H2, [113 - статические коэффициенты усилений транзисторов Ти, Тц, Г13 соответственно;

(5-25)

где Кэр = К1эиКэх2Ктъ' КЦ находим по формуле (5-15).

Целесообразно при больших токах нагрузки в качестве РЭ использовать кремниевый мезапланарный составной транзистор 2Т825 типа р-п-р. Он имеет /гюр^ fK3p., = 2,5B при /,=10 А; Р^ =160Вт при /, р до +55°С; /,, = 20 А; кэ.а. = 70 В при 125 С.

Преимуществами применения однокорпусного составного транзистора по сравнению с п-транзисторами, образующими составной РЭ, являются более высокая надежность, меньшие габариты, отпадает необходимость установки резисторов Ri, R2 или Rl, Rz (рис. 5-9).

5-3. РАСЧЕТ СХЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ СТАБИЛИЗАТОРА

Схема управления стабилизатора включает в себя выходной сравнивающий делитель, усилитель и источник опорного напряжения. Выходной сравнивающий делитель 7?д1, Rjfi, Rn совместно с источником опорного напряжения диода Д1 (см. рис. 5-1, 5-5) обеспечивает выделение сигнала рассогласования (передачу на базу Гу отклонения,выходного напряжения f/н от номинального значения, вызванного изменением напряжения питающей сети или тока нагрузки). Так как напряжение на Д1 практически постоянно, то при изменении выходного напряжения на А(/н сигнал рассогласования, равный йдА(/н, подается на базу Гу с резистора Ri, где йд -коэффициент передачи делителя. Под действием этого сигнала напряжение коллектор- эмиттер транзистора Гу изменится на величину kykAUu, причем в противофазе с сигналом рассогласования, где йу -коэффициент усиления усилителя на транзисторе Гу. Это изменение напряжения, равное приращению напряжения А^эвр

базе РЭ приведет к изменению сопротивления постоянному току перехода эмиттер - коллектор РЭ на такую