при резисторе R если Ri2<\Ri,

ФДЗ

Токостабилизирующие двухполюсники ТД могут быть выполнены на биполярных (см. рис. 5-1, 5-5) и полевых транзисторах.

Пример включения нолевого транзистора с р-п переходом и каналом п-типа в качестве ТД показан на рис. 5-2.

Статические характеристики с=(си) с - -/(зи) полевого транзистора с каналом /г-типа приведены на рис. 5-12, где - ток стока; Uy - напряжение между стоком и истоком; - напряжение между

затвором и истоком. Внутреннее сопротивление ТД на нолевом транзисторе (см. рис. 5-2) определяется по формуле

Гтд=.п(1+.5,),

где RiLUfyilпря Lgjj = const - внутреннее сопротивление полевого транзистора, определяемое по характеристике 7<, = f(l7cH) n - JsH Р^ и^у^== const - крутизна характеристики полевого транзистора, определяемая по характеристике I = f{Uyj). Значение приводится в справочных данных транзисторов.

Сопротивление резистора Ri для получения требуемого тока /с определяется по формуле

с

С max

где L3j - напряжение отсечки тока стока; эта величина приводится в справочных данных полевых транзисторов; д^д. -ток стока при и^ = 0.

Недостатком применения полевых транзисторов в качестве ТД является Ьольшой разброс их вольт-амперных характеристик, что приводит к необходимости использовать регулируемый резистор Ri для установки требуемого значения тока /с. Применение в ТД нолевого транзистора вместо биполярного позволяет исключить Дз, R3 (см. рис. 5-1). Полевые транзисторы в качестве коллек-

торной нагрузки усилителя при работе их в режиме 3j = 0 широко используют в микросхемных стабилизаторах напряжения.

Коэффициент усиления усилителя в схеме стабилизатора на рис. 5-1 определяется формулой

где /г2,эу, /г„эу - коэффициент усиления по току и входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером;

Если /г„эу /?д, то kyYR.

Сопротивления Rk при различных коллекторных нагрузках транзистора Ту для схем на рис. 5-1, 5-5 определяются следующими формулами:

для резистора Ry

для резистора Ry

для токостабилизирующего двухполюсника ГДг

дг + Лцэр

Для схемы с внутренним источником опорного напряжения Д1 (см. рис. 5-5) коэффициент усиления ky определяется формулой

Ь 21ЭуК /КЛ]\

K = -z-т I /,-;- (0-41)

где г^д! - динамическое сопротивление стабилитрона Д,.

Если в схеме на рис. 5-5 наряду с ТД используется ТД то тдг-пэр тогда Rj иэр'

Если Rk соизмеримо с Riy, то следует пользоваться уточненными формулами при определении ky-.

у

для схемы на рис. 5-1

=-Г^-(5-42)

ПЭу

1+ +/?д

\ Riy/

для схемы на рис. 5-5

К--Г-Т^- (5-43)

( к\

Чэу \1+-/ + /?д+А21Эу-,

Из сравнения формул (5-42) и (5-43) следует, что при соответствующих нагрузках коэффициент усиления ky в схеме на рис. 5-1 больше, чем в схеме на рис. 5-5, и, учитывая значения Rk в (5-38) -(5-40), можно утверждать, что ky будет наибольшим при применении ГДг. Однако, как мы увидим позже, параметры схемы fecT, ст и Гн в схеме стабилизатора определяются не только значением ky и k.

Для дифференциальных и операционных усилителей в микросхемном исполнении нет необходимости вычислять ky, так как он приведен в справочниках. Применять в первом каскаде дифференциальный усилитель на дискретных элементах (биполярных транзисторах), как было показано раньше, не имеет смысла.

5-4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВЫХОДНЫХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ

Выходными параметрами стабилизаторов являются коэффициент стабилизации ka, внутреннее сопротивление Гн, коэффициент сглаживания пульсации qa-

Выходные параметры для схемы на рис. 5-5

Если коллекторной нагрузкой усилителя Гу является резистор Ry, то имеем следующее:

1. Коэффициент стабилизации определяется но формуле

\>-ркукя и, где

R 1 Д1

д==-77! д=-д1+д2 + п'. коэффициент усиления определяется но формуле (5-41), R - по форму-7-391 97

ет- 1+р5, f/ . (5-44)