где Ео max - напряжение на выходе выпрямителя при С/с max

и 1о тгП'

Мощность, рассеиваемая на Гг при Uo max, Ub тгп, кг и

/к2 /нтах + /д + /в5т(п=0,6+0,015 + 0,01=0,625 А,

РК2= (Ротах-и^ ип) / 2 = КЭ2К2 = (5 - 24) 0,625= 16,2 Вт. Исходя из значений Pj2 Кг- КЭ2 = nax - Uimin= 58-24=

= 34 в, выбираем в качестве транзистор типа КТ803А.

При регулировке выходного напряжения Ua с помощью переменного резистора Re, включенного по схеме на рис. 5-13, ток /д не изменяется. В качестве источника опорного напряжения нами выбран стабилитрон Д818А (Удз = 9- 11,25 В).

Сопротивление резистора R, = {Unmin-Uji3max)/fRMn =:(24КИ ,25)/0,01 = 1,275 кОм.

Выбираем по ГОСТ i?5=l,3 кОм. Максимальный ток через резистор Rb

/В5 шах= (30-9)/1,3= 16 .мА.

Максимальная мощность, рассеиваемая на Rs,

Рв5тах=Ял5тахЛ5= 162. Ю--1,3-103 = 0,33 Вт.

Берем резистор Rb типа МЛТ= 1 = 1,3 кОм. (Резисторы постоянные иепроволочные следует применять не менее чем с двойным запасом по мощности.)

Максимальное напряжение на транзисторе Т'а^кэг = 34 В не должно превыщать К'з[/£,Э2 JTg- коэффициент запаса по напряжению обычно принимается равным 0,7-0,8. Для транзистора КТ803А при температуре р-п перехода iaep свыще il00°C на каждые последующие 10°С надо снижать на 10% кэ 2 тал: =

Зададимся температурой р-п перехода Т2, <пер=120°С, тогда £КЭ2 =fK3 2ma. (1 - 0,2) = 60-0,08 = 48 В, где £j32-преде.чьно допустимое напряжение эмиттер-коллектор при /пер=120С;

£кэ2==34В<йзу£кэ2 = 0.8-48= 38 В.

Таким образом, при температуре р-п перехода транзистора Тг, 120°С которой мы задались, обеспечивается необходимый запас по напряжению кзи, принятый нами равным 0,8.

По таблице приложения ПЗ-2 для мощности 16,2 Вт при окр = 50°С находим площадь радиатора 655 см. Так как /нт(п = 0, то ток через резистор Ri при Uamtn примем равным /к4т1п =

КБОтах= А:

7?4 = Унт.п й4 min=(24-103)/5 = 4,8 кОм.

Выберем по ГОСТ /?4 = 4,7 кОм, тогда

fR4,nax = U JR,= ((/,а.-УэБ2)/4= (3° -0.7)/4,7 = 6,3 мА,

Максимальная мощность, рассеиваемая на резисторе /?4,

Рй4тах=(/=й4тах ?4=29,374700=0,19 Вт.

Берем резистор У?4 = 4,7 кОм, 0,5 Вт, тина ОМЛТ. Определяем максимальное значение тока в цепи эмиттера, примерно равное току в цепи коллектора транзистора Гз,

при (/н max

/кз- 1УЫЭ2 min + та. = 625/10 + 6,3 = 69 мА, при f/н min

JКЗ = !к2/f2lЭ2min + hi min = 625/10 + 5 = 67,5 мА.

Мощность, рассеиваемая иа транзисторе Гз при Ucmax и Unmin, Р^з = f/i93/i3 = 25,3-0,0675 =s: 1,70 Вт,

где

f/кэз = кэг - ЭБ2 = 26 - 0,7 = 25,3 В.

В качестве Гз выбираем транзистор КТ803А. Максимальная мощность, рассеиваемая им без радиатора, определяется формулой

пер окр

Рктах^ /?пер-окр'

где пер - температура р-п перехода; /?пер-окр - тепловое сопротивление переход - среда, равное 20°С/Вт.

Формула эта справедлива при окр^50°С. При окр<50°С к moi = 5 Вт. Определим, какую мощность может рассеять транзистор КТ803А без радиатора с тем, чтобы при /окр = 50°С температура р-п перехода его была 120°С-.

/кз=(120-50)/20=3,5 Вт;

Ркз=1,70 Вт<Р'кз=3,5 Вт.

Ток 1[зщ1п через резистор должен быть не менее /кБОтад:-Принимаем /з^; =/д4; = 5 мА, тогда /?з=/?=4,7 кОм,

/r4 max ~ max = 6>3 мА.

Определяем максимальный ток, протекающий в цепи эмиттера транзистора Г4:

/Э4 = /К4 = Ыз/г Э 3min + Ызтах = 69/10 + 6,3 = 13,2 мА.

Максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторе Г4, Pp. = f/j94/,4 = 24,6-12 = 295 мВт, где U = и^ - УэБз = 26 - 0,7 - 0,7 = 24,6 В; к4 = /кз/21ЭЗтг + -RSmi = 67,5/10 + 5 = 12 мА (при У„ г„).

Выбираем транзистор Г4 типа КТ602Б, для которого /к тах = = 75 мА; fnep тах=120°С; /?дер-окр = 0,15 °С/мВт; У^э то;е при

/чег, = 70 С равно 100 В и линейно уменьшается до 50 В при

пер=120 (т. е. уменьшается на 10 В на каждые 10°С увеличения температуры р-п перехода); /J2i3min = 0.

Чтобы иметь необходимый запас ие только по напряжению КЭ4> ° также с коэффициентом 0,8 по температуре р-п перехода транзистора, примем цер=100°С, тогда

пер- окр^ЮО -50 Р^Цпшх- /? р р 0,15 = 330 мВт.

Таким образом, рк4тах=330 мВт больше Рк4=295 мВт. Определяем максимальное значение тока в цепи базы транзистора Г4:

/К4 13,2

Так как /54 ал; количество транзисторов РЭ принимаем равным трем {Т^ - Т^).

Определяем ток коллектора транзистора Ts:

К5 = (5-6) 1 =.5,50.0.266= 1,46 мА, принимаем /д = 1,5 мА.

Максимальное напряжение на транзисторе Ть

КЭ5 = max - i/дз min + ЭБр =30 - 9]+ 2 = 23 В,

где С^ЭБр напряжение база- эмиттер составного транзистора Тр. Максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторе Ts, К5=/кЭ5К5 = 23.1.5 = 35 мВт.

Выбираем в качестве транзисторКТЗ125, у которого 1!= = 35 В, -Рк 1ад: = 225 мВт при кор<бО°С, fnep/па;с = ПбС, Кпер-окр=0,4°С/Вт, /?пер-кор=0,24°С/Вт, /к^;, = 30мА, AglSmin = 25.

Максимальное значение тока /к1 через транзистор Ti и резистор /?2 равно /к5=1,5 мА. Напряжение иа резисторе

2 = + /д2 - tSBi = 0-7 + 0.7 - 0.7 = 0,7 В,

где (/э5, - напряжение база - эмиттер транзистора У,.

В качестве Ti выбираем кремниевый транзистор р-п-р. Сопротивление резистора

(/ 2 0,7 =-=Т75-0 = 470Ом.