![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Главная Источники вторичного электропитания 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 [ 36 ] 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 ГЛАВА ШЕСТАЯ РАСЧЕТ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТАБИЛИЗАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ НЕПРЕРЫВНОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ РЭ 6-1. СХЕМЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ И ВЫХОДНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СТАБИЛИЗАТОРОВ На рис. 6-1 представлен один из возможных вариантов схемы стабилизатора с параллельным включением регулирующего элемента составного транзистора Тр. В качестве гасящего сопротивления используется резистор Ri. При возрастании, например, напряжения Lo возрастает напряжение Uh и, следовательно, на резисторе ?д1 делителя 7?д1, 7?д2, Rn- Это приводит к увеличению отрицательного потенциала на базе усилительного транзистора Ту и его коллекторного тока, падения напряжения на резисторе Ri, положительного потенциала на базе составного регулирующего транзистора Тр и его коллекторного тока /р. Падение напряжения на резисторе Ri за счет увеличения на А/р протекающего через него тока возрастет на величину AIpRi, примерно равную увеличению входного напряжения ALo. Выходное напряжение при этом сохранит свое первоначальное значение с заданной точностью. Регулировку выходного напряжения в стабилизаторах с параллельно включенным РЭ обычно не предусматривают, так как она приводит к значительному снижению к. п. д. стабилизатора. Реостат Rn в выходном делителе служит для установки номинального значения выходного напряжения. Схема на рис. 6-1 может быть применена, если ![]() Рис. 6-1. Схема транзисторного стабилизатора напряжения с параллельным РЭ (п-р-п). и Д1 max где 17др и. кэу~ соответственно КЭ у min (6-1) напряжения на стабилитроне Ди база - эмиттер составного транзистора Тр, коллектор - эмиттер транзистора Ту. Стабилитрон Д1 выбирается из условия получения ТКН стабилизатора, не превышающего заданное в (5-2). Напряжения U и к;э у m/n примерно равны 2 В. Минимальное напряжение на входе стабилизатора 0., -fK + /o.,onx + o. . (6-2) где 7?,on., = f/ - оптимальное сопротивление ре- зистора Ri, когда к. п. д. схемы имеет максимальное значение (при f/оном и /нтаж>/кртгп), Т. е. w=(i-K)N (6-3) bo - заданное относительное понижение входного напряжения от номинального значения Lo; /о min, Ismax, /кртгп - минимальный ТОК чербз резистор Ri, максимальный ток нагрузки и минимальный ток через регулирующий транзистор Гр соответственно, причем hmin=Imnax + lKpmin, (6-4) Крт(Л^ ~+Кнтал: (6-5) где и„ - амплитуда пульсации на входе стабилизатора; - начальный ток коллектора. Максимальное напряжение на входе стабилизатора и omin с 1-6, t/o.a. =----. (6-6) Максимальный ток, потребляемый от выпрямителя, Iomax=Iomin-\~iUQmax-Uomin) /Rl, (6-7) а через регулирующий элемент Гр 1кртах~1отах /нтгп. (6-8) Чтобы уменьшить мощность потерь на Гр, в коллекторную цепь его включают резистор R2. При условии, что /н>5(;эрт/ максимальная мощность рассеивания на Гр будет почти в 4 раза меньше, чем в отсутствие R2: Ркршах=и\/iR2. (6-9) Сопротивление резистора Находится по формуле ===(и-кэр.,Жр .. (6-10) где - минимально допустимое напряжение на при токе /р„ . Напряжение на резисторе Ri, в случае кремниевого составного регулирующего транзистора Тр типа п-р-п составляет примерно 2 В. При этом коэффициент усиления ky на транзисторе Ту оказывается невысоким (несколько десятков). В результате основные параметры схемы йст и 9ст имеют сравнительно малые значения, а Гн относительно велико. Повысить йст и ст можно за счет увеличения сопротивления резистора Ri, но при .+о-с -о -t-И ТД Рис. 6-2. Схема транзисторного стабилизатора напряжения с параллельным РЭ (р-п-р). Рис. 6-3. Схема траизисториого низковольтного стабилизатора напряжения с параллельным РЭ. этом Гн останется тем же, а к. п. д. стабилизатора понизится, что нежелательно. Поэтому более целесообразно увеличить ky за счет увеличения числа каскадов усиления или введения дополнительного источника стабильного напряжения, как это показано, например, на рис. 6-2 {Uou Rb, Дг). При использовании в Тр германиевого составного транзистора (рис. 6-2) напряжение эБр будет равно 0,6-0,8 В. Здесь для увеличения коэффициента усиления ky необходимо применение дополнительного источника Дг. Для получения низких выходных стабилизированных напряжений (5-6В) можно применить схему на рис. 6-3, в которой источник опорного напряжения Д1 питается от дополнительного вы- |
© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения |