прямителя через токостабилизирующий двухполюсник ТД. При низких выходных напряжениях, когда соизмеримо кэрт/л' применение резистора R2 неэффективно. Чем меньше выходное напряжение стабилизатора Un в схеме с параллельным РЭ, использующим в качестве гасящего сопротивления Ru тем меньше разница в к. п. д. по сравнению со схемой, в которой РЭ включен последовательно с нагрузкой. При выходных напряжениях f/н выше 10 В стабилизатор с Ri значительно уступает по к. п. д. стабилизатору с последовательным РЭ. В этом состоит основная причина, по которой стабилизаторы с параллельным РЭ не находят широкого

Рис. 6-4. Схема транзисторного стабилизатора напряжения с параллельным РЭ и токостабилизирующим двухполюсником в качестве гасящего сопротивления.

применения. Однако если гасящее сопротивление Ri заменить токостабилизирующим двухполюсником ГДг, как это показано на рис. 6-4, то энергетические показатели стабилизатора с параллельным РЭ значительно улучшаются. В этом случае чем выше выходное напряжение стабилизатора (/н, тем меньше разница в к. п. д. но сравнению со схемой, в которой РЭ включен последовательно с нагрузкой. Стабилизатор напряжения, схема которого приведена на рис. 6-4, работает следующим образом. При увеличении напряжения t/o возрастает выходное напряжение Un. Изменение выходного напряжения посредством делителя 7?д1, /?д2, Rn передается на базу усилительного транзистора Гу. Изменение напряжения, усиленное Гу, с резистора Re подается на базу регули-8-391 113

рующего транзистора Тр. При этом возрастает его коллекторный ток /кр и увеличиваются ток через резистор Яз и падение напряжения на нем (/дз. Это влечет за собой уменьшение положительного потенциала базы составного транзистора Гг токостабилизирующего двухполюсника ГДг. В результате напряжение эмиттер - коллектор Гг возрастает на величину, примерно равную увеличению входного напряжения AUo, а выходное напряжение с заданной точностью сохранит свое первоначальное значение. Изменение тока в этой схеме при изменении входного напряжения на AUo составит Л/кр=

= Д^еА-ТД2. (6-11)

внутреннее сопротивление ГДг; Ri2, (j-2 - внутреннее сопротивление и статический коэффициент усиления Гг. (Расчет параметров составных транзисторов /?г и р, приведен в гл. 5.)

Минимальное входное напряжение

и. Шп = + t;, 3 . + tK3 2 шп + - (6-13)

Так как h благодаря применению токостабилизирующего двухполюсника ГДг меняется незначительно при изменении напряжения питающей сети, то в первом приближении номинальное напряжение Uo будет равно:

0 = и, , +1/, . (6-14)

Максимальное напряжение на входе стабилизатора Uomax определяется по формуле (5-10). Максимальный ток через резистор /?з

/дЗтаж=/нтаж + /кртгп + А/кр-

Максимальный ток, потребляемый от выпрямителя,

1отах=1нЗтах + Rlmax + в4.

Внутреннее сопротивление токостабилизиоующего двухполюсника / .дг желательно иметь возможно большим, так как с его ростом увеличивается к. п. д., /Сет и (7ст стабилизатора. 114

Из (6-12) видно, что г.рд2 тем больше, чем меньше Д(/д2 и больше (/д2:

Д2 = 3 + ЭБ2. (6-15)

где (/эБ2 ~ напряжение эмиттер - база Т^.

Увеличивать 7д2 нежелательно, так как при этом

возрастает Uomin (6-13) и, следовательно, понижается к. п. д. стабилизатора.

Простым и вместе с тем эффективным способом уменьшения А^/дз является включение последовательно

с Дг токостабилизирующего двухполюсника ГДь В этом случае

W = W,-f, (6-16)

ТД1

диф5Д2 тд! ~ дифференциальное сопротивление диода Дг и внутреннее сопротивление ТД, соответственно:

тд,=---~- (6-17)

Напряжение 7д2 (6-15) выбирается таким, чтобы напряжение [/да составляло примерно 1 В. Напряжение Aimax ограничивается минимально допустимым напряжением [/кэ1т, транзистора 7,:

(6-18)

Мощность, рассеиваемая на транзисторе Гг, может быть уменьшена, если его шунтировать резистором Ri. В этом случае

8* U5