![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Главная Источники вторичного электропитания 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 ![]() Рис. 6-5. Схема транзисторного стабилизатора напряжения 30 В, 0,6 А. Токами /к1 min, /к8, /к9, /д, /кр min предвзрительио задаемся. У составного транзистора Tr{Ti, Тг, Т,) токостабилизирующего двухполюсника ТД, выполняющего роль гасящего сопротивления, напряжение между базой и эмиттером (/ggr равно примерно 2 В. Напряжение на Яг будет равно: = Д1 - ЭБг' =2,8 - 2 = 0,8 В. Сопротивление резистора Р2=(/в2 в2 min =0,8/0,66= 1,2 Ом, где /в2 min =/о min-/щ min =0,67-0,01 =0,66 А. Берем по ГОСТ резистор J?2=l,2 Ом. Минимальное, номинальное и максимальное напряжения на входе стабилизатора были найдены в примере расчета выпрямителя (гл. 3) и соответственно равны: f/omin=36 В; Уо = 44 В; 6отах = 50 В. При определении Umin (6-13) мы приняли Uo= 1 В, к:Э1 т(п~ = 4,2 В. Определяем сопротивление резистора Ri: omin - m 36 - 2,8 Rl min 0,01 - = 3320 Ом. Выбираем по ГОСТ Pi = 3,3 кОм. Максимальный ток через резистор Rl 50 - 2,8 = 14,3 мА. Rlmax- 3,3 Максимальная мощность, рассеиваемая на резисторе Ri, Pj!lmx = /Blmax.Pl= 14,32- 10--3300=0,66 Вт. Ьерем резистор типа МЛТ-2=3,3 кОм. Для выбора транзисторов Ti-Ti определим Максимальное напряжение на транзисторе Ti и приближенное значение максимальной мощности Рк1, рассеиваемой на Тх: УкЭ1 = Уо ; - Ун - У;?2 = 50 - 30 - 0,8 = 19,2 В; = КЭ1К1 = 19,2-0,716 = 13,8 Вт, где /к,=/да = 2т/я + ДЧ=66 + 0,056 = 0,716 А; Д/, = - = 0.056 А; Кр Гтд 250 гтд = /?,/?а/Гдиф Д1 = 3300 -1.2/16 = 250 Ом. Полученное нами значение Гд. (5-35) несколько меньще, чем рассчитанное по (6-12). Исходя из величин Ук;Э1> -КР выбираем транзистор Г, типа КТ803А. По таблице приложения ПЗ-2 для транзистора КТ803А при окружающей температуре 50°С, температуре перехода р-п fnep = 0,8 inep таж= 120°С И рассеиваемой мощности 13,8 Вт находим суммарную площадь радиатора 5=534 см. Максимальный ток через транзистор и, 0.716 где /кЗ = /кН1та1 = 5 мА. Максимальная мощность, рассеиваемая на Га, РК2- КЭ2К2 = (fKSl - ЭЮ) К2 = (19-2 - 0,7) -0,77 = = 18,5-0,077 = 1,42 Вт. В качестве берем транзистор КТ803А, который без радиатора при ioKp = 50°C и <пер=120°С дапускает рассеивание мощности W-oKp 120-50 Р„2 = -5- =-99-=3,5 Вт. К2 /?пер-окр 22 Сопротивление резистора Rs равно: /?з=(/эБ1/ 3 = 07/0005 = 140 Ом. Выбираем по ГОСТ /?з=130 Ом. Мощность, рассеиваемая на Rs, Pfi3max = y=R3/3 = 0,7V130 = 0,004 Вт. Берем Rs типа МЛТ-0,125=130 Ом. Определяем максимальное значение тока через транзистор Гз; где R4 = R3 = 5 мА; = = 130 Ом. Максимальная мощность, рассеиваемая на Тз, Ркз = КЭЗ^КЗ = (/КЭ2 - иэв2) Ыз = (18.5 - 0,7) 12,7 = 227 мВт. В качестве Гз выбираем транзистор типа КТ602Б (данные транзистора КТ602Б приведены в примере расчета стабилизатора, гл. 5). Максимальное значение тока базы транзистора Гз 1г.. 12,7 --===°-- Определяем максимальное значение тока через составной регулирующий транзистор Гр (при У^тах И /нт1П = 0): /Кр /в2тах-/в8-/й9-/д=0,716-0,026 = 0,69 А. Принимая минимальное напряжение на ГрУр-зр,,- = 5 В, находим сопротивление резистора R: -Щ--Жб9- = 36.5 Ом. По ГОСТ выбираем резистор J?5=36 Ом. Максимальная мощность, рассеиваемая на /?5, /в5тах = Якр'/?5=0;692.36=17,5 Вт. Берем резистор Rb типа ПЭВ-25 = 36 Ом. Максимальная мощность, рассеиваемая на Гр, Pkp=6V4P5 = =3074-36=6,3 Вт будет при токе /кр=Ун/2Р5=30/2-36=0,42 А и напряжении на ГрС/р-эр -/Kpi/?5 = 30-0,42-36=15 В. По (/кэр^н = 30 В (при /кр=0,69 А и Ркр=6,3 Вт выбираем для Гр транзисторы Tt-Te такие же, как и для Гг: соответственно КТ803А, КТ803А и КТ602А. Для транзистора Г4 при Рк4 6,3 Вт необходим радиатор с суммарной площадью охлаждения согласно табл. ПЗ-2 приложения 5=181 см. Сопротивления резисторов Re, Rl и Rz равны 130 Ом. Соответственно равны протекающие через них токи и рассеиваемые на них мощности. Максимальная мощность, рассеиваемая на транз1гторз (КТ803А) при У'кэБ = кЭр - ЭБ4=15 - 0.7= 14,3 В и токе через него /к„ 420 =Wr + =W-+5 = 47 МА, К5 = /КЭ5/К5 = 14,3-0,047 = 0,67 Вт. Максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторе Г^ (КТ602А) при f/jgg = t/jgs эБ5 14,3 - 0,7 = 13,6 В и токе через него К5 47 =;;;;;;;;г+ =го+5=9,7 МЛ, К6 =f/WK6 = 13.6-9,7= 130 мВт. |
© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения |