циент трансформации трансформатора; p=Ub/Uitp - коэффициент передачи по напряжению выпрямителя. В соответствии с уравнениями (7-14) и (7-29) напряжение на коллекторе РТ (рис. 7-6) возрастает:

кэ.а.-с.а.-и., . (7-30)

При минимальном токе нагрузки рабочая область на семействе характеристик транзистора (рис. 7-6) ограничена точками 3 я 4. Эти точки характеризуют режим РЭ при /кэтгл, точка 4 определяет также режим

транзистора по максимальному рабочему напряжению. Граница области, определяемая допустимой мощностью

рассеяния, изображается гиперболой /к тах= Р- maJKS-

Снизу область ограничена характеристикой/jgo,

В стационарном режиме обратное напряжение, приложенное к коммутирующим диодам, не превышает амплитудного напряжения на РТ:

обрд = К2-кэ ... (7-31)

В переходном режиме максимальное напряжение, приложенное к закрытому РТ, равно амплитудному значению напряжения сети:

кэ max - Uc6p Д ~ VU х-

Из полученных уравнений видно, что режим работы РЭ, определяемый напряжением сети и током нагрузки, в сильной степени зависит от к. п. д. трансформатора и выпрямителя с фильтрохм (рис. 7-5).

Величины [/кэтад, Ктах позволяют ВыбрЗТЬ ТИП

транзистора, а параметры Р^ и /?;,ер-кор выбранного транзистора ЯВЛЯЮТСЯ исходными данными для расчета теп-лоотводящего радиатора.

Широкое применение в промышленности получили двухтактные схемы транзисторного регулирования по цепи переменного тока. На рис. 7-7 изображена схема РЭ, состоящего из двух транзисторов Ti я То, включенных по встречно-последовательной схеме и зашунтиро-ванных в непроводящем направлении диодами Д] и Дг соответственно. Ток первичной обмотки трансформатора протекает в один полупериод через диод Дг и тран-

зистор Ti, в другой -через Д: и Гг. При изменении полярности обратное напряжение к РТ не прикладывается, так как в этот момент они шунтируются диодами. Транзисторный регулятор, работающий в цепи переменного тока, (МОЖНО шунтировать резистором без ухудшения выходных параметров (резистор Ri на рис. 7-7). При небольших изменениях сопротивления нагрузки (на 30-50%) можно в 1,5-1,7 раза уменыпить рассеиваемую мощность на РЭ, выделив ее избыток на буферном резисторе.

Рис. 7-7. Двухтактная схема регулирования.

Расчет схемы на рис. 7-7 ведется из условия работы элементов РЭ в течение одного полупериода. Вследствие симметрии амплитуд напряжения питания на коллекторе каждого транзистора Ti и Гг получаем однопо-лупериодное пульсирующее напряжение, постоянная составляющая которого

КЭ ср п с

(7-32)

Действующее напряжение на РЭ, выраженное через сумму средних значений напряжений на транзисторах Г] и Гг, определяется выражением (7-19). Значение тока коммутирующего диода и коллектора транзистора находится из (7-21), а мощность РЭ -по (7-25). Мощность, выделяемая на каждом транзисторе,

Р' = 0,5 (Д^,+ 1,1Ш,з,р , )/,. (7-33)

б) Трехфазные схемы регулирования

Регулирование выходного напряжения при трехфазной сети может осуществляться как одним транзисто-

AfAs

г

Рис. 7-8. К анализу работы транзисторного регулятора в трехфазной цепи переменного тока.

а- схема регулирования; б-ж - временные диаграммы токов и напряжений.

ром, включенным на выход коммутирующего моста, так и включением нескольких транзисторов последовательно с коммутирующими диодами раздельно по фазам. На рис. 7-8,а приведена схема, в которой регулирование но всем трем фазам осуществляется одним транзистором Т\. Транзистор Т\ подключен к выходу коммутирующих диодов Дх-Дъ, соединенных по трехфазной мостовой схеме. Управление транзистором 7] осуществляется постоянным током. Вход РЭ соединен с выводами начала