Мощности М. в связи с Тем Что значение напряжений на выходе фильтра Ф[ оказывается достаточно большим, усилитель мощности УМ выполняют по мостовой (рис. 1-9,6) или полумостовой (рис. 1-9,е) схеме, в диагонали моста которых включают ВЧ трансформатор Тр (рис. 1-9,6, в).

На рис. 1-9,6 в качестве примера приведена схема, в которой в плечах моста применены транзисторы. Аналогичный вид имеет схема на тиристорах. С модулятора длительности на транзисторы Ti и Ti (рис. 1-9,6) или 7i (рис. 1-9,е) подаются замыкающие их импульсы, при этом транзисторы Гг и Гз (рис. 1-9,6) и Тг (рис. 1-9,е) разомкнуты. Импульс напряжения с амплитудой Uo (рис. 1-9,6) и t/o/2 (рис. 1-9,е) прикладывается к первичной (/) обмотке трансформатора. В следующий момент происходят размыкание этих транзисторов и замыкание транзисторов Tz и Тз (рис. 1-9,6) и Tz (рис. 1-9,е), при этом на первичной обмотке трансформатора получаем импульс обратной полярности.

Со вторичной обмотки ( ) трансформатора Тр переменное напряжение прямоугольной формы выпрямляется выпрямителем Бг и через фильтр Фг подается на нагрузку (рис. 1-9,а). Принцип действия схемы основан на том, что при изменении напряжения t/н в результате изменения напряжения сети Uc или тока в нагрузке сигнал рассогласования с ИЭ усиливается усилителем У и подается на модулятор длительности МД, частота работы которого неизменна. В зависимости от уровня сигнала с усилителя модулятор длительности изменяет соотношение времен замкнутого и разомкнутого состояний транзисторов или тиристоров, включенных в плечи моста усилителя мощности. Скважность импульсов на обмотке ВЧ трансформатора меняется таким образом, чтобы значение выходного напряжения Uh осталось неизменным.

2-391

ГЛАВА ВТОРАЯ

ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИСТОЧНИКОВ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

2-1. ОБЩИЕ ЗАМЕЧАНИЯ

Подавляющее большинство современных источников вторичного электропитания (ИВЭ)-это Источники стабильного выходного напряжения или тока. Основной переменой, происшедшей за последние годы в области источников вторичного электропитания, является существенное понижение уровня выходных напряжений, что обусловлено внедрением ё РЭА полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Широкая номенклатура электровакуумных и полупроводниковых приборов, а также интегральных микросхем, используемых в РЭА, весьма разнообразные требования к выходным и входным параметрам, к. п. д., надежности и условиям работы привели к созданию большого количества различных типов схем источников вторичного электропитания. Каждый тип ИВЭ имеет определенные преимущества и недостатки в сравнении с другими известными Типами ИВЭ в зависимости от совокупности предъявляемых к нему технических требований. Правильный выбор структурной схемы ИВЭ для последующей разработки электрической принципиальной схемы, удовлетворяющей всем заданным требованиям, является одной из наиболее сложных задач.

Разработка источников вторичного электропитания должна производиться в соответствии с техническим заданием. Следует, однако, иметь в виду, что в разработке комплекса РЭА участвует множество исполнителей, и каждый из них может выдать задание на разработку источника электропитания только для того устройства, которое он непосредственно разрабатывает.

В результате у разработчиков ИВЭ концентрируется большое количество технических заданий. Общим для всех этих технических заданий являются оговоренные в тактико-технических требованиях (ТТТ) на комплекс РЭА напряжение и частота питающей сети системы анергоснабжения, пределы их изменения, число фаз, способ резервирования (второй независимый ввод сети или автономная электростанция), климатические и механические условия, в которых должна обеспечиваться 18

работоспособность комплекса РЭА, наработка на отказ всего комплекса в целом. Помимо ТТТ каждый разрабатываемый комплекс должен иметь руководящее указание по конструированию (РУК) и ограничительные перечни разрешенных для применения в данном ком. плексе РЭА комплектующих элементов и номиналов питающих данную аппаратуру напряжений. В РУК, в частности, -приводятся эксплуатационные, конструктивные и производственно-технические требования, которые должны учитываться при проектировании всех блоков, входящих в комплекс РЭА.

При анализе технических заданий на разработку ИВЭ следует стремиться к тому, чтобы в конечном счете количество типономиналов ИВЭ в комплексе РЭА было минимально возможным. При этом окажется, что в одних случаях будут применены ИВЭ с завышенной установленной мощностью, в других - с лучшими, чем требуется, выходными параметрами. Некоторое увеличение габаритных размеров аппаратуры комплекса, которое при этом неизбежно должно произойти, можно оправдать значительным понижением стоимости изготовления (за счет большой серии однотипных ИВЭ) и сокращением количества запасных ИВЭ в комплексе РЭА.

Весьма важно уже на предварительном этапе проектирования знать ориентировочное значение мощности, потребляемой всем комплексом РЭА от питающей сети и не только источниками вторичного электропитания, но также технологическими службами и др. На основании этих данных выбираются трансформаторные подстанции, автономные источники электропитания и электромашинные преобразователи. Предварительные данные по габаритным размерам блоков аппаратуры, в том числе ИВЭ, а также потребляемая мощность позволят определить необходимое количество блоков, произвести их компоновку в шкафах аппаратуры, определить объем, занимаемый всей аппаратурой, необходимость применения принудительного охлаждения шкафов и способ воздухообмена в помещении, где расположена РЭА.

Получить необходимые для проектирования комплекса РЭА данные по габаритным размерам и мощности потребления ИВЭ возможно только после выбора и расчета схем электрических принципиальных ИВЭ, удо-разработку.

влетворяющих требованиям технического задания на 2* 19