Выбор режимного диода Ди производим по максимальному действующему значению коллекторного тока транзистора Ti. Выбираем

диод КД202Б {/пртаж = 3,5 А, t/обр тах = 50 В). Ио Грэфику ЗЗВИ-

симости постоянного прямого тока без радиатора от температуры окружающей среды, приведенному в справочных данных [27], находим при /пр=0,97 А, окр raai=65°C>/oKp=50°C. Диод используем без радиатора.

Находим с помощью прямой вольт-амперной характеристики диода Ди (КД202Б) и выходной характеристики транзистора Ti (КТ803А) в используемом режиме напряжения прди ~ В и

t/3B4 = 0.5 в.

Задаемся током через резистор R: /j /594 = 5 мА н определяем его сопротивление:

прД14+ЭР4 1,3

=--.- = 60 Ом.

Выбираем ii4 = 240 Ом типа МЛТ-0,25. Находим максимальный средний коллекторный ток транзистора Т5, соответствующий минимальному значению 2194=1 трч1!зистора J\:

/jg = 0,88/10 = 0,09 А

и определяем максимальную мощность рассеяния на нем =

= /K,cp4/2i 34 = 7/10 = 0,7 Bt<Pr <p , = 5 Вт.

Транзистор Ts {КТ904) используем без радиатора.

Находим с помощью входной характеристики транзистора в используемом режиме /эб5~0,6 В. Задаемся током через резистор Ri: 1б = /кБ05= 5 мА и определяем его сопротив1ение:

прД14 + эБ4 + ЭБ5 1,9 ,

Ru =-]-= 1 5.10-3 = 1260 Ом.

КБ 05 1,0-1U

Выбираем ii6=l,2 кОм типа МЛТ-0,25. Определяем максимальный средний коллекторный ток транзистора Ге, соответствующий минимальному значению Ag, 35 =20 транзистора Тц: /кб=0,09/20 =

= 0,005А и находим максимальную мощность рассеяния на нем: Рк,срб = 0,7/20 = 0,035<Рк ор тах = 0,225 Вт.

Исходя из значения выходного напряжения £/н=12 В, в качестве опорного источника (диод Д15) принимаем кремниевый стабилитрон типа КС156А (6ст = 5,6±10% В; /стт.-п = 3 мА; /оттах = =55 мА; Рст тах=300 мВт; Гст=46 Ом). Производим расчет выходного сравнивающего делителя (R20, кг\, Rii)- Задаемся током через делитель при t/H,Hoin = 12 В /д,ном = 10 мА и определяем сопротивления резисторов

ст max - п > К7 -

выбираем i?22 = 430 Ом типа МЛТ-0,25,

<2х -,т--п-г- - 2., = 1П-2 ГгГ9~ - О = 300 Ом;

{ д. ном mint -lU,

выбираем /?2i = 300 Ом типа СП5-2, ГЛ,. ком

< -г--/?2, -/?2г = 1200 - 430 - 300 = 470 Ом.

д, ном

Выбираем /?го = 470 Ом типа МЛТ-0,25.

Находим коэффициент передачи делителя Ад = t/cT,HOM/tH,HOM = = 5.6/12 = 0,47 и определяем его внутреннее сопротивление R - = 300 Ом. Для входного каскада усилителя (Гт) выбираем транзистор ГТ308А (/г2,э =2075; /ктах = 50 мА; кэ тал: ==15 В;

Рк ср ,т.ог=150 мВт). Задаемся током через транзистор Г? /к7= = 3 мА и минимальным током через стабилитрон Д15 /от mtn= = 10 мА. Определяем сопротивление резистора

UnmlnUcrmax 10,8-6,1б

Ri8 = -п-7--= -п7Г07-=

ст min - к/ и,ии/

Выбираем Pi8 = 620 Ом типа МЛТ-0,25.

Находим максимальный ток через стабилитрон Д15 в используемом режиме:

и ,пах^

13,2 - 5,04 .

= б20.10-~ + 3 = 16 мА< / , д;, = 55 мА.

Определяем максимальную мощность рассеяния на стабилитроне: Р.т=100 ыВт<Р(-.т ах=300 МВт.

Находим с помощью входной характеристики транзистора Те (КТ312В) в используемом режиме f/эБб =0,4 В и определяем напряжение на резисторе Rig:

= пр Д14.-Ь t/эБ 4 + ЭБ 5 + ЭБ 6 =

= 0,8 + 0,5 + 0,6 + 0,4=2,3 В. Определяем сопротивление резистора Ri:

R19 2,3

= / iW = (3-0,1)10-3 = 800 Ом.

Выбираем резистор /?i9=820 Ом типа МЛТ-0,25. Находим минимальное значение коллекторного напряжения транзистора Тт:

КЭ min7 min - и„ max - f/ig =

= 10,8 - 6,16-2,3 = 2,34 В.

Как следует из выходных характеристик транзистора КТ312В, это значение напряжения оказывается доегаточпым, чтобы обеспе-

чить работу транзистора на линейном участке. Определив максимальное значение коллекторного напряжения транзистора Тг-

КЭ 7~ Un max ст min /?19 ~

= 13,2 - 5,04 - 2,3 = 5,9 В, можно найти максимальную мощность рассеяния на нем:

/Кср7=18 мВт<Рк ср тах = 150 мВт.

Ограничивающий резистор Rn в базовую цепь транзистора Ге в рассматриваемом случае устанавливать не следует, так как это приведет к уменьшению коллекторного напряжения транзистора Г? и может нарушить режим его работы.

Из входных характеристик транзисторов КТ803А, КТ904А, КТЗГ2В находим их входные сопротивления в используемом режиме: Э4==07 Ом; /zj, Э5 = 20 Ом; эб = 500 Ом.

Определяем с помощью выражений (5-7) и (5-2.5), приведенных в гл. 5, входное сопротивление Эс крутизну составного транзистора, являющегося выходным каскадом усилителя: Aj, эс = 500 + 20-50-f 20-50-0,7 =2200 Ом;

10-20-50 21 эс= 2200 =-6

Динамическое сопротивление диода Дц при определении Kji эс не учитывалось.

Из входных характеристик транзистора ГТ308А получаем его входное сопротивление в используемом режиме А[137 = 300 Ом и определяем его крутизну: 12137 = 20/300 = 0,07 А/В. Находим сопротивление коллекторной нагрузки транзистора Г,: .9 II hu эс = 600 Ом.

Используя выражение (9-90), определяем коэффициент усиления транзисторного усилителя:

0,07-4,6-600 У^ 300/300+ (1 +0,07-46) = 7 А/В.

При помощи выражения (9-84) получаем коэффициент сглаживания транзисторного фильтра:

9 = 1 +0,47 - 37 -5 3,14 1200 0,002 = 264.

Полученное значение (7т><7ф=174 и, следовательно, требования, указанные в исходных данных, удовлетворяются. Конденсатор С4 служит для предотвращения автоколебаний в цепи транзисторно! о фильтра и должен обладать достаточно хорошими частотными свойствами. Экспериментально установлено, что требуемая емкость конденсатора С4 лежит в пределах 10-30 мкФ. Более точно это значение может быть определено из динамического расчета транзисторного фильтра. Выбираем конденсатор С4 = 30 мкФ типа МБГО при напряжении 160 В.

Дроссель фильтра должен иметь следую1цис параметры: L~ = 0,002 Г; /о=10,7 А; f/.~, = 8,7 В при f=1200 Гц. Расчет дросселя проводится по методике, изложенной в [8].