-e-SS-lO-s-LSS-lOO- 1

Далее находим внутреннее сопротивление управляемого выпрямителя по (9-87):

/-0=0,042+0,05+0,07 = 0,162 Ом.

Определяем требуемое значение коэффициента усиления МУ согласно выражению (9-86):

ШОМ у f у 1

-н ном

*У.У = *у МУ а йдйуХу.р =

- ь

0,47-37-0,106-= Р^Л/-

Согласно (9-87)

. Гр-Гн 0,162-0.002

у.у -*уМУа- д/!у/!у.рГн -0,47-37-0,106-2-10-3 - 4,51рад/А.

Выбираем ЛуМУа^84 град/А.

Производим расчет цепей управления тиристорами и определяем выходные параметры источника управляющего сигнала.

Для тиристора КУ202Г по справочным данным [27] находим: /у,от = 100 мА; t/y,0T = 5 В; /пр,утах = 300 мА; Ру,срт!.х= 1,5 Вт.

Для выбранной схемы управления тиристорами (см. рис. 9-38) определяем максимально допустимую мощность на управляющем электроде согласно выражению (9-38) при (7 = 2: Ру,и тах=1,5-2 = =3 Вт.

При помощи выражения (9-54), задаваясь значением коэффициента прямоугольности Рп = 0,85, находим амплитудные значения напряжения источника управляющего сигнала:

£/иотт = 1,41РпУ,2тах = 1,41-0,85-15,5= 18,6 В; f/HOTmin = l,4iPnf/2m<n = l,41-0,85-12,6=15,l в. Из выражений (9-42а) и (9-43а) получаем: /у„ = 4-3/18,6=0,645 А; /у„( = 0,1-18,6/18,6-5 = 0,136 А. Согласно условиям (9-40а) выбираем максимальное амплитудное значение тока источника управляющего сигнала /исттаа; = = 0,25 А.

Находим, используя выражение (9-41), внутреннее сопротивление источника управляющего сигнала: / {=18,6/0,25 = 74 Ом.

Определяем минимальное амплитудное значение тока источника

управляющего сигнала: /иоттгп = £/исттгп/Ч=15,1/74 = 0,2 А.

Из выражения (9-46) находим минимально допустимый ток управления:

/у min - 1 g~ = 0,15 А < / ст min = 0,2 А.

Следовательно, условие (9-45) выполняется и выбранное значение /исттах обеспсчивает нормальную работу цепи управления при заданных пределах изменения напряжения источника управляющего сигнала.

Переходим к расчету магнитного усилителя. Определяем по формуле (9-50) расчетную мощность МУ: Ррасч = 0,9-18,6-0,25=4,2 Вт.

В качестве материала магнитопровода используем ленту из сплава 50НП толщиной 0,05 мм. По табл. 9-3 задаемся значениями

S =l Тл и Рп = 0,85.

Для данных Ррасч и f по кривым на рис. 9-29 и 9-30 выбираем предварительные значения 5=5,5 А/мм; ri = 0,76.

Из формулы (9-51) определяем необходимое произведение сечения стали на сечение меди:

ф.т-Ррасч-10 1,3-4,2-10° ScS = 8fc7[ Pn5 ~ 8-400-0,76-5,5-0,85-1 =°°*

Выбираем по данным табл. 9-4 ближайший магнитопровод типа ОЛ20/25-5, имеющий Sc5m = 0,0751 см

Приняв а=10-з Вт/(см2-град) и р=2,3-10- Ом-см, уточним по формуле (9-52) значение плотности тока:

= 2,1-/:

10--50-2 2,3-10-8-0,708 А/ -

Далее из (9-53) находим уточненное значение к. п. д.:

2,3-10- -5,2-3,02-10

- 2-1.3-400-0,85-1-0,106 =0.703.

Для уточненных значений S и ri SoSm = 0,055 ом*. Следовательно, магнитопровод выбран правильно. По формулам (9-56) и (9-57) определяем число витков и диаметр провода рабочей обмотки;

18,6-10

Р- 4-400-0,106-1.0,85 =1300;

/ 4-1,3-0,25 Р= У 2-5.2-3.14 = 2

2-5,2-3,14

Выбираем провод ПЭВ-2 диаметром 0,2 мм. Находим значение сопротивления рабочей обмотки:

iflWp 4-2,3-10-5.3,02.1300

р= 3,14-0,22-10-2

Определяем сопротивления резисторов Ra, Rb, Ri2-

/?,=i?8=i?,2=ri-rp = 74-29=45 Ом.

Берем резисторы сопротивлением 47 Ом типа ПЭВ-10. Выбираем диоды Дз, Дь Ди типа Д229В (/пртах=400 мА,

f/o6pmax=100 в, f;np=l В).

По кривой размагничивания для частоты 400 Гц (рис. 9-31) находим: Яо=0,23 А/см, Д ут х=0,15 А/см.

По формуле (9-58) определяем ток холостого хода МУ:

2-0,23-7,1-10 1300

Находим Сопротивления резисторов R2, Re, Uio-

R,R=Ra= UnvlU. = 1 /(2,5 10-3) = 400 Ом.

Выбираем резисторы сопротивления 390 Ом типа ОМЛТ-0,25.

Параметры демпфирующих цепочек {R\Cu RbC, RsC) зависят от конструкции и монтажа стабилизатора и определяются экспериментально при испытаниях макета. Ориентировочно, исходя из опыта проектирования подобных схем, принимаем;

j?, = i5=/?9=51 Ом типа МЛТ-0,25;

С1 = С2=Сз=0,1 мкФ типа КМ-5.

Выбираем транзисторы Т^, Т^, типа МП25А (213= 20-Г-50, КЭтах = 40 В, / = 400 мА, t/кэ нас = 1 В, Prcp та;, = = 200 мВт). В рассматриваемой схеме транзисторы Т Т^, работают в режиме перекчючения при 1 =250 мА и f/jg = 22 В. Включение каждого транзистора происходит в начале рабочего полупериода МУ, когда он не насыщен, что соответствует переключению транзистора в режиме холостого хода. При выключении транзистора напряжение питания с него также снимается. Поэтому динамическими потерями в транзисторах можно пренебречь. Тогда мощность рассеяния определяется только потерями в режиме насыщения. С учето.м скважности (7=2 получаем:

К. ср = Г'* = г'ш-з = 125 мВт < ср max = 200 мВт.

Задаемся значением среднего тока через диоды Д^, Д^, Д\% вп,срД4= 10 мА и выЗираем диоды типа Д223 (/вп, ср тал; = 50 мА,

t/o6pma3c = 50 В).

Определяем сопротивление резисторов Rz, Rn, R\\: R. = R. = R.

/ист max/-21 Э1 + 21 вп, ср Д4 = 22/(12,5 + 20). 10-3 = 680 Qm.

Выбираем резисторы сопротивлением 620 Ом типа МЛТ-0,5.

Из выражения (9-64) определяем значение Д/уму max обеспечивающее требуемый коэффициент усиления МУ:

Д^у МУ max < 180/84 = 2.14 А.

Для обеспечения нормальной работы транзисторного фильтра согласно условию (9-73) Д/уму max < О'49 А.

Берем Д/умуmax = 0.2 А.

По формуле (9-59) находим число витков обмотки управления МУ;

Шу= (0,15-7,1)/0,2 = 5. 17* 259