Полевой транзистор Q4 является общим для всех ячеек памяти столбца матрицы и служит для предварительной зарядки конденсатора Сд. Чтобы иметь возможность считать информацию из ячейки, конденсатор Св сначала предварительно заряжается до напряжения, очень близкого к Uj, через транзистор Q4, затвор кото-

вход данных

Сигнал заряда

I Линия считывания выбранной строки.

-Г

Линия записи выбранной страна

Считывание \ ii

данных Jl IL

Выдор стол5и,а

Рис. 8.9. Ячейка динамической памяти на п-МОП-трап-зисторах

рого подсоединен к линии передачи сигнала СЕ (Not Chip Enable). На линии считывания, общей для ячеек строки матрицы, должен присутствовать положительный потенциал /7+, открывающий транзистор Q3. Если потенциал заряда, хранимого на конденсаторе Со, соответствует логической 1 (т.е. очень близок к )+),транзистор Q2 открывается, и конденсатор Сц разряжается через транзисторы Qz и Q2 на землю. Однако, если напряжение на конденсаторе Са соответствует логическому О (нулевое), транзистор Q2 заперт, и поэтому конденсатор Со остается заряженным до напряжения б'.. Следователь-

но, на линии считывания данных появляется обратный код хранимых данных.

Заметим, что состояние конденсатора Cq остается неизменным в течение времени считывания. Данные могут считываться из в обратном коде в выходной регистр или пересылаться в шину данных через соответствующий буфер. Чтобы записать информацию в ячейку памяти, необходимо подать положительный потенциал на линию выбора строки записи вместо линии выбора строки считывания (часто организуется единственный, объединенный вход чтение/запись).

Положительный потенциал, появившийся в линии выбора строки записи (являющейся общей для ячеек строки матрицы), открывает транзистор Qi в каждой ячейке строки, который передает напряжение, присутствующее в линии записи данных выбранного столбца, одному из конденсаторов Cq выбранной ячейки памяти.

Сигналы выбора строки считывания и выбора строки записи для каждой строки матрицы могут быть получены путем объединения сигналов считывания и записи по схеме И с соответствующими сигналами выбора строки, формируемыми дешифратором строки.

Хотя считывание само по себе не разрушает записанную информацию, заряды на конденсаторах Со уменьшаются со временем из-за утечки. Поэтому величину зарядов приходится поддерживать с помощью специальной восстанавливающей схемы, которая время от времени считывает содержимое ячеек и производит повторную запись в них. Такая схема включена, например, в состав микросхемы микропроцессора Z80, но чаще поставляется отдельно.

Как устроена постоянная память?

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) (ROM - Read Only Memory) можно представить себе в виде матрицы постоянно разомкнутых или замкнутых контактов, пропускающих ток только в одном направлении (рис. 8.10).

Следует обратить внимание на то, что это устройство довольно похоже на ОЗУ, однако в нем отсутствуют цепи записи данных. Линии выбора строки и столбца получают сигналы от адресных линий так же, как и в ОЗУ,

а адресация к отдельным ячейкам и считывание из них во многом схожи с аналогичными процессами в ОЗУ.

Существуют различные типы ПЗУ, и их главное различие состоит в том, каким путем получены замкнутые и разомкнутые контактные соединения. В запрограммированных ПЗУ с применением специальных масок (ПЗУ с

Вы5пр строки 1

выбор Bbifop Выб'ор Выбор

столбца 1 столбца 2 столбца J столбца Ч

ПВ выбранной микросхемы

j-.выход

Рис. 8.10. Упрощенная схема матричного ПЗУ размерности 4x4

масочным программированием) на заключительной стадии производства оставляются только необходимые соединения, а все ненужные исключаются.

В программируемых постоянных запоминающих устройствах (ППЗУ) (PROM -Programmable Read Only Memory) контактные соединения выполнены из плавкого материала. В дальнейшем в ячейках с требуемым адресом они могут быть расплавлены (электрически программируемые ПЗУ). Это дает возможность пользователю запрограммировать устройство памяти после его изготовления в соответствии с предназначенной для хранения информацией.

Существуют ППЗУ с возможностями стирания хэани-мой информации и повторного программирования. В рас-