может потребоваться также и в том случае, если расчет PC даст значение ц^., существенно отличное от принятого в соответствии с приведенными выше рекомендациями.

4. Определяют амплитуду переменного напряжения между анодом и катодом (/, = 2PJIi.

5. Рассчитывают амплитуду переменного напряжения на контуре U, = 2PJI = 2PJ{y\J,i) и амплитуду напряжения возбуждения = U - 0- Эту амплитуду можно определить также из выражения

где D - проницаемость лампы. Если найденные значения 1) отличаются друг от друга более чем на 10 %, целесообразно расчет уточнить. Для этого определяют проходную мощность через амплитуду U, найденную из (6.5),

уточняют значение мощности Pi=: -Рпрох. а затем и

напряжений и V.

6. Из выражения (6.3) рассчитывают коэффициент использования анодного напряжения и постоянное напряжение на аноде: = UJt,.

Полученное значение не должно превышать допустимое.

7. Находят мощность, подводимую от источника питания, Ро = а^ао. И рассеиваемую на аноде Р, == Р - Pj, проверяя при этом, выполняется ли условие Р, Р.доп-

В справочниках допустимую мощность рассеяния на аноде приводят для непрерывного режима генерации, поэтому если рассматривают импульсный режим, то подставляют Р^р = Pa/s . Если режим генерации пакетно-импульс- ый, то Р.ер = P.F 7 n .

8. Далее рассчитывают электронный к п. д. анодной цепи лампы т|а = PjPo-

9. Рассчитывают эквивалентное сопротивление анодно-сеточного контура Р , = UtJIiv

10. Находят постоянное напряжение смещения на сетке

При этом напряжение сдвига Е' для уже известного напряжения на аноде Е^ может быть определено либо по приведенному сеточному напряжению Е^ Е'~ = -DE, -f Есо либо по напряжению сдвига сн для номинального анодного напряжения Е,. Е'о = Е', + D (£, ~ Е,).

6* 163

11. в дальнейшем по реальным статическим характеристикам сеточного тока находят амплитуду импульса Дм как значение сеточного тока при = бетах = fc + tc и

Определив угол отсечки сеточного тока 60 = = arccos I Ejllc I и соответствующие ему коэффициенты ао (бс) и ttj (бс), приближенно рассчитывают гармонические составляющие сеточного тока: /о = 0>7ао (Эс)/см, ci- = 0,7ai(6c)/cM.

Числовые коэффициенты учитывают отклонение формы импульса сеточного тока от косинусоидальной из-за нелинейности характеристик этого тока.

Если в справочных данных такие характеристики лампы не приводятся, то для ориентировочного расчета критического режима металлокерамических генераторных триодов СВЧ можно пользоваться соотношениями: /со - (0.2

0,4) /ао и /eir 1,8/ео.

Эти же приближенные соотношения могут быть рекомендованы для расчета составляющих тока экранирующей (второй) сетки при работе генераторных тетродов в критическом режиме. Ток управляющей сетки этих ламп значительно меньше: Io 0,05/ао.

12. Рассчитывают мощности, действующие в сеточных цепях: колебательную Pi. расходуемую в цепи управляющей сетки, и возбудителя Рвх. а также мощность, рассеиваемую на сеточном сопротивлении автоматического смещения или на внутреннем сопротивлении источника принудительного смещения Рсо = 1 с 1 /со-

Мощность, рассеиваемая на управляющей сетке, - = Pel - Рсо не должна превышать допустимую Рсдоп-

Так как в схеме с общей сеткой СВЧ-потенциал экранирующей сетки такой же, как и управляющей, мощность, рассеиваемая на второй сетке, Р^а = Рсго + 0,51/121, где Рсго = б'сг/сго - МОЩНОСТЬ, подводимая от источника питания экранирующей сетки; £2 - постоянное напряжение на этой сетке; /.20 и /гт - постоянная составляющая и амплитуда первой гармоники тока экранирующей сетки.

Обязательна проверка неравенства: Рс2 Рсадоп-

13. Для генератора независимого возбуждения рассчитывают коэффициент усиления по мощности Кр = Рр/Р^.

При расчете автогенераторов определяют коэффициент обратной связи, при котором обеспечивается критический режим генератора k = И^Ш^ и активную входную проводимость генератора gcs = hJlt-

в соответствии с теорией двухконтурных автогенераторов для схемы с общей сеткой при емкостной связи между контурами соСак > kgc. Чем больше левая часть этого неравенства, тем меньше фазовый сдвиг, создаваемый цепью обратной связи фк, и, следовательно, тем выше электронный к. п. д. анодной цепи, меньше расстройка PC относительно генерируемой частоты и соответственно больше т]. Поэтому, как уже указывалось, обычно создают внешнюю дополнительную обратную связь, эквивалентную емкости Сдоп> включенной параллельно межэлектродной Cg. Расчет внешней цепи обратной связи выполняют так, чтобы со (Сак+ -f Сдоп) = (5 7)Яск.

Расчет резонансных систем генераторов. Такой расчет производят на основании материала 3-й главы. В качестве емкостного элемента обычно используют межэлектродную емкость лампы. При этом необходимо сделать следующее замечание: паспортные значения этих емкостей изготовители приводят по результатам измерений мостовыми методами на частотах 1 МГц. При проектировании целесообразно использовать значения межэлектродных емкостей, найденные квазистатическим расчетом по известным конфигурации и геометрическим размерам электродов и межэлектродных промежутков.

Эти емкости, входящие в состав PC генератора, оказываются меньше паспортных значений внутриламповых емкостей.

Рассчитывая PC генераторов на металлокерамических лампах коротковолновой части диапазона дециметровых волн, особенно неперестраиваемых, необходимо также учитывать, что внутренняя часть лампы от места подсоединения цилиндрических проводников внешних коаксиальных линий PC до межэлектродного промежутка также представляет собой один или даже несколько отрезков коаксиальных линий с различными (в общем случае) волновыми сопротивлениями. Поэтому даже если внешняя часть PC выполнена в виде однородной линии, с учетом внутриламповой части приходится рассчитывать более сложную систему, состоящую из нескольких отрезков линий с емкостями на их стыках, учитывающими неоднородности.

На рис. 6.19, а упрощенно показаны внутриламповая (длиной /а) и внешняя (длиной /ас) чзсти анодно-ссточного контура при односторонней конструкции PC. Рассматривая эквивалентную схему (рис. 6.19, б), можно сделать вывод о том, что PC анодно-сеточной цепи в этом случае