проводимость контура, полоса пропускания и смещается резонансная кривая по оси частот. В каскадах с ДПФ возможно изменение формы резо-наисной кривой. Поэтому для увеличения глубины регулировки усиления необходимо ослаблять связь регулируемых транзисторов с контурами.

В каскадах на ПТ для регулировки усиления используют зависимость крутизны стоко-затворной характеристики от напряжения на затворе. Эта зависимость близка к линейной. В отличие от БТ полевые практически не потребляют мощность от источника управляющего напряжения. Входная и выходная проводимости ПТ в области насыщения практически не зависят от напряжения между затвором и истоком. Следовательно, коэффициент усиления каскада на ПТ пропорционален крутизне стоко-затвориой характеристики.

Регулировка усиления каскада на ПТ может быть обратной и прямой. При обратной регулировке, когда транзистор запирается с целью уменьшения усиления, для получения большей чувствительности регулировки необходимо, чтобы сопротивление нагрузки каскада было много меньше внутреннего сопротивления транзистора или, по крайней мере, равно ему при максимальном усилении, поскольку при запирании транзистора увеличивается его внутреннее сопротивление. Необходимо также, чтобы сопротивление источника сигнала было много меньше входного сопротивления каскада или, по крайней мере, равно ему при максимальном усилении.

Прямая регулировка усиления осуществляется путем перехода из рабочей области в омическую за счет повышения тока при одиовременном снижении напряжения на стоке или только за счет снижения напряжения на стоке. Недостаток прямой регулировки - значительное измеиеиие выходной проводимости транзистора.

.Схемы регулируемых усилителей на транзисторах показаны на рис. 11,16. В схеме иа рис. 11.16, а управляющее напряжение подается в цепь базы через фильтр АРУ RC.B усилителе по схеме иа рио. 11.16, б оба транзистора связаны по постоянному току общим резистором в цепи эмиттеров. Режим транзисторов устанавливают так, чтобы при (7 = О крутизна их проходной характеристики была максимальной. При поступлении отрицательного напряжения Uy уменьшаются крутизна характеристики и эмиттерный ток транзистора VT2. В результате изменяется напряжение на базе транзистора VT1, и его эмиттерный ток увеличивается, а крутизна характеристики уменьшается.

Особенностью схем РУ на БТ с УРХ является полное включение цепи базы к контуру иа входе через конденсатор с малой емкостью (десятки пико-фарад). Этот конденсатор увеличивает сопротивление источника сигнала и снижает влияние на контур изменяющейся при регулировке входной проводимости транзистора.

На ряс. 11.16, в приведена схема каскодиого РУ. Входная проводимость и входная емкость транзистора VT1, включенного по схеме ОЭ и работающего в режиме короткого замыкания иа выходе, иа высоких частотах слабо зависят от тока коллектора /q. Транзистор VT2, включенный с общей базой, находится в режиме, близком к холостому ходу иа входе. Его выходная проводимость почти не зависит от /jq.

т

(/Л

Рис. 11.16. Схемы регулируемых усилителей

Для компенсации изменений входной и выходной проводимостей транзисторов используют дополнительные нелинейные элементы, проводимость которых изменяется в противоположном направлении. В схеме на рис. И.16, г в качестве такого элемента применен полупроводниковый диод, проводимость которого зависит от постоянного тока,протекающего через него, примерно так же, как входная проводимость транзистора. В процессе регулировки прн уменьшении /q ток диода увеличивается. Поскольку проводимость и емкость открытого диода обычно больше, чем составляющие входной проводимости транзистора, диод подключают к части витков катушки связи. Коэффициент включения диода, его тип и начальное смещение на ием подбирают так, чтобы получить наилучшую компенсацию. Уровень напряжения сигнала на диоде должен быть достаточно малым, чтобы эффект детектирования практически ие влиял на режим работы каскада. Лучшие результаты можно получить, если использовать для компенсации изменений вход ной проводимости дополнительный транзистор. Различные варианты схем с компенсирующими нелинейными элементами описаны в [58}.

Схемы РУ на интегральных микроузлах показаны на ряс. 11.16, 5 и 11.16, е. В каскодяом усилителе (рис. 11.16,5) для регулирования усиления служит дополнительный транзистор VT3. При подаче отрицательного управляющего напряжения £/у ток этого транзистора растет, а ток транан-

Рис. 11.17. Схема усилителя с комбинированной АРУ

стора VT2 и, следовательно, усиление каскада уменьшаются. В РУ по схеме иа рис. 11.16, е нагрузкой эмиттерного повторителя на транзисторе VTt являются цепь коллектора транзистора VT2 и входная проводимость каскада иа транзисторе YT3, включенного с ОБ. Усиление регулвруется изменением тока коллектора транзистора VT2 под действием управляющего напряжения подаваемого на его базу.

На рио. 11.16, м и 11.16, э показаны схемы РУна однозатворном и двух-затворном ПТ соответственно. Регулировка усиления осуществляется путем изменения смещения на затворе и, следовательно, тока транзистора, причем в двухзатворном транзисторе применяется прямая регулировка (см. выше) [49]. Регулирование усиления путем изменения глубины ООС используется в схеме на рио. 11.16, м, де в качестве управляемого резистора применен полевой транзистор (канал сток-исток). Особенность данного режима управления сопротивлением канала - отсутствие постоянного напряжения на стоке. Сопротивление управляемого резистора является линейным при достаточно малой амплитуде переменного напряжения.

Схема РУ с комбинироваииой регулировкой усиления показана на рис, 11.17. При подаче положительного управляющего напряжения уменьшается ток коллектора /j и усиление второго каскада. Отрицательное напряжение иа коллекторе VT2 поюлшается, а запирающее напряжение иа диоде уменьшается. При некотором значении управляющего напряжения диод открывается и шунтирует контур первого каскада. Усиление этого каскада будет прн этом уменьшаться, а полоса пропускания - расширяться.

Регулировочная характеристика РУ представляет собой зависимость коэффициента усиления РУ от управляющего напряжения U. Вид этой карактеристики определяется числом регулируемых и нерегулируемых каскадов, охваченных цепью регулирования, и способом регулировки усиления, В общем случае регулировочная характеристика (РХ)

(11.28)

где m - число нерегулируемых, п - регулируемых каскадов.

Отношение максимального значения коэффициента усиления К^у^ (при t/y = 0) к минимальному К^\ (при £/у = V. называют глубиной регулировки. Необходимая глубина регулировки, дБ,

и = 20 Ig (Сшах/шш) шах тЫ (11-29)

Для определения РХ и глубины регулировки необходимо зиать зависимости коэффициентов усиления каскадов от параметров их элементов н зависимости параметров АЭ от управляющего напряжения.

Каскады усиления на БТ характеризуются сложными соотношениями между коэффициентом усиления, параметрами транзисторов и управляющим напряжением t/y, поэтому РХ ие может быть выражена простой аналитиче-