Главная страница Комод Кухня Компьютерный стол Плетеная мебель Японский стиль Литература
Главная  Помехи и шумы в сигналах 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 [ 110 ] 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156

ской зависимостью. Для упрощения вычислений при определении РХ или глубины регулировки каскадов на БТ пренебрегают такими второстепенными факторами, как декомпенсация внутренней обратной связи в процессе регулировки, некоторое нарушение нейтрализации, изменение усиления, обусловленное сдвигом частоты настройки каскада. В этом случае зависимость коэффициента усиления каскада от тока коллектора /jg определяется зависимостью активных составляющих входной g и выходной проводимостей и модуля комплексной крутизны i Yi \ от Ijg.

При малых токах коллектора {Iq < 5 мА) зависимость 1 Fji I (ко) можно представить а виде

I Уц (9) I i Уц 1 qlVl + (Йя/)2 т^з^9 , (П.ЗО)

где 9 ко/Ко тах> / - Средняя частота полосы пропускания каскада; постоянная времени цепи коллектора в исходном режиме; ко max ~ коллектора в исходном режиме.

Для зависимостей (ко) 4вых(Ко) можно использовать приближенные соотношения, поскольку и g оказывают существенно меньшее влияние иа коэффициент усиления, чем величина Yt . При условии / < можно принять gg = qgg g = qg 3.

Если в процессе регулировки усиления напряжение на коллекторе не становится меньшим 2В, то его изменение мало влияет иа \ и g. Несколько больше изменяется проводимость в^ Убывая а возрастанием напряжения на коллекторе.

Коэффициент усиления одноконтурного усилителя,

Ко iq) П^П, I 1,1 iq) \l(g, + qgg (11.31)

где ij - резонансная проводимость контура! внгаах - вносимая проводимость в исходном режиме.

Если последующий каскад нерегулируемый, то

Co (<?) = пу,п^ 1 (<j) \l(g, + 30 + 9?вн). (Ч-32)

где §в„о~оиосимая проводимость, не изменяющаяся при регулировке; вн - вносимая переменная проводимость при /jg ° ко max Коэффициент усиления каскада с ДПФ

0 (9) - Л 1521 (9) 1 РМ, (11.88)

где А - feg [1 + (rfo + qd тах)/*св1: Kb - коэффициент связи между контурами ДПФ.

Если последующий каскад ие регулируется,

4 = *св П + (do + вн) (< + тах)/<в1.

где / и относятся к контуру, связанному с регулируемым транзистором, 332




Рис. 11.18. Обобщенная схема питания биполярного транзистора

Рио. 11.19. Посэ рактернст

юение сквозной ха-исн /ко (t/y)

Г

J. На

н

1 и) %

(Ossi

i и

Построение графика зависимости /jq (t/y) для обобщенной схемы питания транзистора (рис. 11.18) показано на рис. 11.19. При других вариантах схемы питания, которые получаются удалением или замыканием накоротко отдельных резисторов, построение графика зависимости (у) упрощается. Для построения этой зависимости вначале строят динамическую характеристику во входных координатах i-iJ-. Откладывая от этой характеристики по горизонтали отрезки, равные IjgRt, получают зависимость (Ug). Далее определяют ток, потребляемый от источника управляющего напряжения базовым делителем, {Rt + /?2)/i2. ток через цепь обратной связи , = tj/?6 ?i й строит по точкам кривую суммарного тока == /5 + + г'дцд. Откладывая по горизонтали от кривой ig ( g) отрезки, равные ij,Ry, строят характеристику ig( y). Нулевое значение Uy соответствует току базы /g. Далее определяют значения /jg для каждого значения /g (по динамической характеристике в выходных координатах) и строят зависимость /ко( у)* рис. 11.19 показано построение только двух точек (/о у) и (/ja- 0)-

При Ly = О в цепи управления протекает ток /у = -U/Ry, обусловленный действием источника питания Е„. Если напряжение Uy отпирает эмиттерный переход, то вызванный им ток Д/у течет в направлении, противопо-ложиом направлению тока 1у и результирующий ток /у получается меньше, чем Д/у. Очевидно, что Uy = AUg - AlyRy, где At/gg = C/gg - бн! y =

-y + . Д^Б + Д^К05 ?1 + А^бо (1 +

Форма РХ регулируемого каскада с ОЭ сильно зависит от сопротивления в цепи эмиттера. Она изменяется от линейной при больших сопротивлениях (более 400 Ом) до экспоненциальной при малых. Это сопротивление в большой степени определяет и чувствительность регулировки усиления. Высокую чувствительность регулировки (характерную для каскадов с малым сопротивлением в цепи эмиттера) при высокой стабильности РХ можно по-



лучить для регулируемых каскадов на основе дифференциальной пары транзисторов (рис. 11.16, д и 11.16, е). Каскадный усилитель (рис. 11.16, в) имеет РХ, аналогичную РХ каскада с ОЭ.

При использовании транзисторов с УРХ форма РХ каскада зависит от общего сопротивления постоянному току цепи эмиттер-коллектор. Крутизна РХ растет при увеличении сопротивления в цепи коллектора или уменьшении сопротивления в цепи эмиттера. При каскодном включении ОК-ОЭ транзисторов с УРХ форма РХ может быть близкой к экспоненциальной, что способствует выполнению системы АРУ, постоянная времени которой слабо зависит от уровня сигнала на входе [49J.

Регулировочные характеристики каскадов на полевых транзисторах в общем случае зависят не только от типа транзистора, но и от схемы каскада, а также от внутреннего сопротивления источника сигнала и нагрузки. В частности, при определенных условиях РХ может быть практически линейной при работе транзистора как в рабочей, так н в омической области стоковых характеристик. Коэффициент усиления регулируемого каскада К = SRJ{\ + /? ?вх) (1 + RJRi) e 5 - крутизна проходной характеристики; /?ц - сопротивление нагрузки; - входное сопротивление каскада; R,- сопротивление источника сигнала; Ri- внутреннее сопротивление транзистора. Если /?ц < Ri ч R€. Rsx коэффициент ужления изменяется по тому же закону, что и крутизна. В рабочей области для транзистора с обеднением канала

= (--) <отс \ oтc

где - ТОК стока при U = 0; U. - напряжение отсечки; U - напряжение затвор-исток.

Влияние регулировки на показатели качества каскадов. В процессе регулировки усиления изменяются и другие показатели каскадов, что, как правило, нежелательно. При уменьшении Iq сдвигается частота настройки каскада в сторону высоких частот, что обусловлено изменением входной и выходной емкостей транзистора. Для приближенной оценки можно принять, что эти емкости пропорциональны /jp. Если задано допустимое относительное изменение частоты настройки (Af/f), то в усилителе с одиночными контурами должно выполняться условие

( Кы max + l4x max) С Я)/2С^6щ < {Д /о)доп. (11-35)

где max И вых max - eniKocTH транзистора при q = fJfq щах = общ-общая емкость эквивалентного контура.

Если один из транзисторов нерегулируемый, то соответствующее слагаемое следует исключить из числителя (11.35). В двухконтурном каскаде смещение средней частоты полосы пропускания будет примерно вдвое меньше.

При регулировке усиления изменяется также полоса пропускания каскада. Если задано допустимое относительное изменение полосы пропускания (ДЯ 7)дд , то в одноконтурных каскадах должно выполняться условие

где вн max ~ максимальное значение вносимой проводимости. 334



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 [ 110 ] 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156

© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения