частотами /3 и f ; затухание на границах полосы заграждения волновые сопротивления подводящих линий W.

В качестве прототипа используется ФНЧ из п звеньев с сосредоточенными параметрами, при этом для равковолновой (чебышевской) аппроксимации число звеньев прототипа определяется из выражении

archK(Z-3-l)/(Z-n-l) агсЬ(Яз/Я„р)

а для максимальной плоской

Ig /(Z.3 - !)/(/. - 1)

-fiow-

где затухания nLg выражены в безразмерных единицах.

Полученное п округляют до ближайшего целого. Число звеньев проектируемого ППФ должно быть на единицу больше (рис. 4.19, б).

Размеры звеньев микрополоскового фильтра находят с помощью графиков рис. 4.20. Для этого вначале рассчитывают волновые сопротивления связанных линией е-го звена фильтра при четном нечетном WqI видах возбуждения:

< = П(1 + Л + 4-);

Wtl = й^о (1 - Л + А%

где Л; = g(,/>gr; ,g-j.; ttio-заданное волновое сопротивление подводящих линий на входе и выходе фильтра; g{ - обобщенные параметры прото-

типной схемы ФНЧ, за исключением крайних элементов и gji, которые рассчитывают по формулам

8о = nv/fo 8n+i = go/г,

где г = th [0,25 Ig (cth 0,058Z,j,)] при четном числе п чебышевского прото-типного ФНЧ; выражено в децибелах. Во всех остальных случаях г = I.

Откладывая теперь вычисленные значения волновых сопротивлений на рис. 4.20, а так, чтобы они располагались на одной вертикальной линии выше и ниже кривой s/A = 00 и в то же время на кривых с одинаковой величиной отношения {s/h)c, определиют соответствующие такому расположению значения {w/h)i и {s/h)i всех звеньев фильтра. Используя эти данные по графику (рис. 4.20, б), находят величину эффективной диэлектрической проницаемости подложки е^, звеньев и рассчитывают длины отрезков

где Я„ - длина волны в воздухе.

Полученные значения It необходимо скорректировать на величину А({, учитывающую влияние концевой емкости разомкнутого конца четвертьволнового отрезка линии. Значении Д/; определяют по графику рис. 4.20, в, после чего находят 1{ - li - Ali.

0,1 0,2 0,30, 0,в 1,0 2,0 W/h

а

Рис. 4.20. Зависимости параметров микрополосковых линий от относительной ширины полоски

0,3 0,2

1,6 w/h

0,3 0,50,71,0 В

5 TW/h

Потери рассеяния фильтра в середине полосы пропускания приближенно оцениваются по формуле (дБ)

4.34 JiL.

где п - число элементов прототипной схемы ФНЧ (число полуволновых резонаторов ППФ); Qof - собственная добротность t-ro резонатора фильтра.

Во многих случаях добротности резонаторов можно считать одинаковыми Qui = Q 0. тогда

п

Добротность резонатора Q определяется соотношением Qo = nQ (I + Qn tg fi).

где Q - собственная добротность микрополоскового резонатора, определяемая при учете только потерь проводимости

а - удельная проводимость пленочного проводника, См/м; f -частота. ГГц;

83 = 0.5 [I + 8 + (8 - i)/YTpmJw],

е - диэлектрическая проницаемость материала подложки; коэффициент т) учитывает снижение добротности из-за излучения с разомкнутого конца линии:

т] = 1 - 5.04 10* U

1) , + 1

ш

Потери рассеяния на границах полосш пропускания (дБ) iorp = (2-3)-o.

откуда суммарное затухание фильтра на границах полосы пропускания

Лгр - + Огр-

4.5. Методика расчета

Одноконтурное ВУ с трансформаторной связью с открытой А и автотрансформаторной связью с транзистором (рис. 4.21, а). Исходные данные: диапазон рабочих частот - f - f; полоса пропускания П при ослаблении на краях не более Ofu; ослабление по зеркальному каналу- не менее 0331 ослабление помех с частотой, равной промежуточной - не менее опчтз! должно быть обеспечено ослабление комбинационной помехи типа f = ~ fmax ~Ь ( +)/пр Р^* п = 2 по .дополнительному каналу приема; чувствительность приемника- не более йдр^з- Параметры А : ад, Сд = Сд --а Параметры нагрузки: тип и схема включения транзистора VT; входные проводимости Kj, яз Оц -(- jBii, параметры транзистора: а, Г3, Г3, /3, Gpopi коэффициент шума транзистора Ш., элементы цепи питания R1, R2. Конст-

нс min нс max

выпол-емкость

рукторские данные: емкость конденсатора настройки С нимые параметры катушек индуктивности Q, Qj., монтажа С^. Обычно для приемников ДВ-КВ Q = 80... 120, Qj,j, = 30 ... 50, Ci + C h = (10...50) пФ, = 0,95.

Порядок расчета: 1. Определяют параметры нагрузки R - \l\Gx\ + (I ?i)+ -f (1 ?.,)], Ci, =В11/ш.

2. Находят приведенную емкость схемы, не изменяющуюся при перестройке входного контура:

Cix = C + 2c = (C

нс max ис

.min)/(h-l).

где коэффициент перекрытия k = /max/fmin-

Задаваясь n=0,1...0,2 определяют емкость схемы С^ = С^-г^С^ и среднюю емкость подстроечного конденсатора С^ = С^ - (С^, -- С^). Если не выполняется условие С^, >. 0,2 (С^, + С^, jjj), следует задаться другим конденсатором переменной емкости.

3. Индуктивность контура = 2,53 . lOio/Zmin (С„с max + О. где L -мкГн; С -пФ; / - кГц.

4. Конструктивная добротность контура Qkouct = Qi-QcAQz, + Qc)> Де = l/tg6j. С учетом потерь в монтаже, экранах и окружающих элементах

добротность ненагруженного контура Q = (0,8 ... 0,9) Qohct-

Рис. 4.21. Схемы входных устройств приемников умеренно высоких частот