Главная страница Комод Кухня Компьютерный стол Плетеная мебель Японский стиль Литература
Главная  Помехи и шумы в сигналах 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 [ 53 ] 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156

Таблица 6.5. Основные данные некоторых типов параметрических диодов

Тип диода

С^, пф

Lr. нГн

доп. в

рас max. мВт

Ри. над так, Вт

свч и> эрг

при обр.

в

при с/обр. В

1А404Б

0,09. . . 0,14

0,23

1,2. . . 1,8

0,85

1А404В

0,11 . . . 0,16

0 23

1,2. . . 1,8

0,85

1А404Г

0,13. . . 0,23

0,23

1,2. .. 1,8

0,85

1А404Д

0,17.. , 0,28

0,23

1,2. . . 1,8

0,85

1А404Е

0,22 . . . 0,36

0,23

1,2... 1,8

0,85

1А408А

0,5.. . 0,56

0,32

0,45 . . . 0,65

D5147A

0.3. . . 1,2

D5147D

0,3 .. . 0,65

0,45

D5147G

0,3. . .0,35

0,32

D5347B

0.3. .. 1

0,32

0,45 . . . 0,65

0,64

Примечания:

1. -контактная разность потенциалов полупроводниковой структуры;

2. я - показатель степени в формуле (6.1);

2- Трастах и. над max ~ * Н0 Допустимая рассеиваемая непрерывная и импульсная падающая мощности; 4. и^свч и ~ксимально допустимая энергия пика (короткого импульса).



Критическая частота у современных диодов лежит в пределах 25...200 ГГц.

Важнейшим параметром параметрического диода являетси его динамическая добротность, равная отношению критической частоты диода в рабочем режиме накачки с учетом потерь в конструкции усилителя к сигнальной час-готе,

5д = /кр.э 1 = /2 с- .эСо. (6.4)

В сантиметровом диапазоне Сд* 2...20, в миллиметровом - а; 0,5 ... 3.

Рабочие режимы параметрических диодов в ППУ

Режим работы диода по постоянному смещению и уровню накачки необходимо выбрать так, чтобы обеспечить максимальные значении m и /кр. Такой режим имеет место при полном использовании левой части (а иногда правой, при положительных значениях иаприжения) вольтфарадной характеристики диода, т. е. когда максимальное значение напряжения иа диоде Umax приближается к максимальному допустимому доп минимальное напряжение близко к нулю (i/n,in 0) [55, 83].

Требуемое рабочее напряжение, обеспечивающее такой режим, рассчитывают для диодов с /г = 2 по формуле

и, = (3/8) + (1 /4) (Kl+i/доп/Фк- О- (6.5)

Для диодов с /г = 3 можно принять = UJ2. Если предполагается полное использование диодов (т. е. U= Uj ; U = 0), то глубину модулиции и критическую частоту определяют для диодов с п = 2 по формулам

= (Kl+t/доп/Фк- 1+доп/фГ+1 ); (6.6)

/ - + t/доп/Фк - Kl + доп/Фк - 1 (6.7)

8ят(1/ )/1+У„/,ф, , 8ят(0)

Для диодов с /г = 3 аналогичные формулы:

т 1/2,5 (1+2ф^/1/д„ ); (6.8)

/р т/4ят (i/ ). (6.9)

Величины Cn(i/o) и т (i/p) = RsC (Ug) при рабочем смещении рассчитывают по формуле (6.10), если известны значении Сп и т при любом другом смещении:

с„ (u,)/c (U,) = / (%~+ЩШТиТ (6.10)

Полагая i/j = i/p. а i/a = U и умножая левую и правую части иа находим

Т (i/ ) = Т (Удоп)1/(Фк + доп)/(Фк + io)- (6.11)

Если предполагается неполное использование вольтфарадовой характеристики диода, коэффициент модуляции может определяться по графикам, представленным иа рис. 6.8. Здесь показаны зависимости коэффициентов модуляции емкости (рис. 6.8, а) и жесткости (рис. 6.8, б) от параметра k = = im/(o+ Фк) Р' накачке гармоническим током.




о,г 0,1,0,6 0,0 к а

л

<:

0,2 О а^в 0,8 к

Рис. 6.8. Зависимости коэффициента модуляции емкости (о) и жесткости (б) ог параметра

ft =%/< +

/ - резкий переход, накачка гармоническим током; 2 - резкий переход, накачка гармоническим напряжением; 3 - плавный переход, накачка гармоническим током; 4 - плавный переход, накачка гармоническим напряжением

Необходимую мощность накачки в режи-

ме гармонического тока вычисляют по фор- qs муле

P = 0)2C (f/ )t(f/ )(f/ -f

(6.12) O-ff---

1качки, q - 0,2 М----


где (Вц - круговая частота на коэффициент, определяемый по графику на рнс. 6.9. Эта мощность рассеивается на сопротивлении R. Однако в реальном ППУ имеются дополнительные потери в проводниках и контактах, а также утечка мощности накачки в тракт источника сигнала. Поэтому мощность накачки, определяемую по формуле (6.12), необходимо увеличить примерно в 1,5 раза при < 10 ГГц, в 2 раза при = 10.,.50 ГГц и в 2,5 раза при > 50 ГГц.

Таблица 6.6. Двухчастотные параметрические усилители

5 т 15 20 25 30 (/ff/fff

Рис. 6.9. Зависимость коэффициента q от о/Фк лля диодов с резким (п = 2) и плавным (п = 3) переходами

№ п/п

Тип усилителя

Схема включения

Регенеративный на частоте сигнала

Регенеративный усилитель-преобразователь

Одноконтурный регенеративный усилитель

Нерегенеративный повышающий преобразователь

Вход Выход

Ж

Ж

Вымд Г,

h-h fz.

вход Вымд


Выход



1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 [ 53 ] 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156

© 2007 EPM-IBF.RU
Копирование материалов разрешено в случае наличия письменного разрешения